晶闸管测试仪用于测试普通可控硅、双向可控硅、快速可控硅和可控硅模块的断态电压临界上升率dV/dt。数字显示断态峰值电压VDM。
晶闸管测试仪主要技术参数:
断态峰值电压VDM : 0-2000V;电压临界上升率dV/dt: 30-1000V/us外形尺寸:440×440×150mm整机重量:15kg
晶闸管测试仪用于测试普通可控硅、双向可控硅、快速可控硅和可控硅模块的断态电压临界上升率dV/dt。数字显示断态峰值电压VDM
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