C35 GTO缓冲吸收电容器_详细资料

产品信息

广泛应用于GTO缓冲吸收以及大电流，高压场合。

C35 GTO缓冲吸收电容器

型号

规格

价格（元）

尺寸（mm）

引出

C35

0.47vF/5000V

50

Φ53*L50

M6

价格仅供参考，以报价单为准。
主要应用/Application
广泛应用于GTO缓冲吸收以及大电流，高压场合。
Widely used in GTO snubber，high current ａnd high voltage application.

产品特点/Characteristics
电介质：聚丙烯薄膜
结构：金属化膜内串结构
封装：外包阻燃迈拉胶带，阻燃（94V-0级）环氧封装
引出： M6或M8铜螺母引出
能承受大电流，高电压
低损耗、高稳定
具有自愈性
Dielectric：Polypropylene film
Construction：Metalized film internal series connection
Coating：Polyester tape wrapping with resin sealing.
Flame retardant execution（UL94V-0）
Terminals：Copper nut leads，threaded ｉnsert M5,M6 or M8
High current，high voltage
Low losses，high stability
Self healing

技术性能/Specifications

引用标准/Reference standards

GB/T 17702 IEC 61071

工作温度范围/Operating temperature range

-40℃～85℃

容量范围/Capacitance

0.33μF～3.0μF

额定电压/Rated Voltage

4000Vdc～10 000Vdc

容量偏差/Tolerance

±5% ±10%

极间耐电压/Test voltage between terminals

1.5Ur（Vdc）10s 25℃±5℃

极壳耐电压/Test voltage between terminals ａnd case

3000V 50Hz 60s，25℃±5℃

损耗角正切/Dissipation factor

tgδ≤8×10-4   at 25℃±5℃，1kHz

绝缘电阻/Insulation resistance

C×R≥30000s，at 100Vdc，25℃±5℃，60s

预期寿命/Life expectancy

200000h at Ur ａnd 70℃

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IGBT吸收电容、IGBTSNUBBER、IGBT吸收电容厂家、IGBT吸收电容价格

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额定电压/Rated Voltage	4000Vdc～10 000Vdc
容量偏差/Tolerance	±5% ±10%
极间耐电压/Test voltage between terminals	1.5Ur（Vdc）10s 25℃±5℃
极壳耐电压/Test voltage between terminals ａnd case	3000V 50Hz 60s，25℃±5℃
损耗角正切/Dissipation factor	tgδ≤8×10-4 at 25℃±5℃，1kHz
绝缘电阻/Insulation resistance	C×R≥30000s，at 100Vdc，25℃±5℃，60s
预期寿命/Life expectancy	200000h at Ur ａnd 70℃