KeysightB1500A 用带纳米探针的KeysightB1500A进行失效分析

用带纳米探针的KeysightB1500A进行失效分析
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用带纳米探针的KeysightB1500A进行失效分析
目前，能探测极窄线宽的纳米探针技术取得了许多进展，从而能表征集成电路内单个器件的电气
特性。这篇应用指南介绍如何用 B1500A 半导体器件分析仪进行这类测量，我们通过 SRAM 失效
分析说明这项技术。
常规存储器失效分析是用逻辑测试仪探测有失效的比特位，然后用扫描电子显微镜 (SEM) 和透射
电子显微镜 (TEM) 进行实际观察和判断造成失效的成因。
但 SEM 和 TEM 都属破坏性的测试，您只能在若干可能失效位置中观看其中一个点。这就大大限
制了用户定位失效具体成因的能力。此外，对于非常小的残留物或异常掺杂密度造成的电性失效，
也难以采用传统的物理观察技术来发现，因此需要增加一些其它类型的电气测试。
常规器件电气测试方案需要把器件放在带探针测试点的 TEG (测试元件组) 中，而这一 TEG 则通
常放在晶圆片上芯片间的切割道中。显然，这种方法不能在实际芯片内的失效位置上进行电气表征。
......
总结

传统分析方法对许多失效机制(如掺杂异常) 是难以探测的。但通过 Keysight B1500A 与
纳米探针的结合，就有能力探测集成电路中的单个晶体管，并且像在常规 TEG 上测量器
件那样容易。B1500A 的 EasyEXPERT 软件可随时变更 SMU 引脚设置，与 EasyEXPERT
强大的应用测试序列能力一起，即可快速和GX地在正反两个方向上对被怀疑的晶体管
进行自动评估。在使用纳米探针时，用极快速度执行这一电气测试是非常重要的，因为电
气接触只能保持一个很短的时间，您必须要在这一时间内完成测量。本应用指南以调试
SRAM 单元为例概述了这一过程。

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