SiC/SiO_2低维核壳结构材料-全年现货订购

SiC/SiO_2低维核壳结构材料-全年现货订购

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SiC/SiO_2低维核壳结构材料-全年现货订购描述：

文献：SiC作为第三代核心半导体材料之一,具有宽带隙、高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在紫外探测器和短波发光二极管及高频、大功率、高温、抗辐照的电子器件等领域具有广阔的应用前景。SiC零维和一维纳米材料,由于处在纳米尺度,除具有体材料所具有的优异性质外,还具有其大尺寸材料所不具有的性质,在光催化、光电子器件和场发射显示等方面已显示了巨大的应用价值,因此研究SiC零维和一维纳米材料具有重要的意义。目前,SiC零维和一维纳米材料的研究主要集中在两个方面:用不同的方法制备SiC零维和一维纳米材料;对制备的SiC纳米材料进行光学和发射特性表征研究。所采用的制备SiC纳米材料方法都有各自的优点,但是这些方法也存在一些缺点:产物较少,易引入杂质,制备温度高,成本较高等。特别是由这些方法制备的SiC纳米材料大都存在大量的表面态,导致发光效率降低,并且SiC一维纳米材料在场发射显示的应用中需要较高的开启电场,限制了SiC纳米材料的实际应用。在SiC表面包覆一层SiO2保护层,实现纳米SiC/SiO2核壳结构,可以减少SiC材料本身的表面态,提高发光效率,而且薄的SiO2层,还可以改善SiC一维纳米材料的场发射特性。

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