K3HB-V负载传感器mV仪表日本欧姆龙OMRON数字面板表_详细资料

产品信息

日本欧姆龙OMRON数字面板表－K3HB-V负载传感器mV仪表特点：
动作判定显示色！可切换绿色/红色2种显示颜。
可观察运行状态的趋势！装有分压。
外部事件的输入，扩展了多种测量和辨别用途。
50次/秒（20ms）的高速采。
进深（前面板下）仅为95mm的超短尺寸。
2个型号备有测重传感器供应传感器电。
日本欧姆龙OMRON数字面板表－K3HB-V负载传感器mV仪表
性能
显示位数 -19999～99999
采样周期 50次/s(20ms)
比较输出响应时间 100ms以下(使输入信号从15%急速变化到95%、或者从95%变化到15%时，比较输出完成的时间)
线性输出响应时间 150ms以下(使输出信号从15%急速变化到95%、或者从95%变化到15%时，
模拟量输出达到值所需的时间)
绝缘电阻 20MΩ以上(DC500V兆欧表)
耐电压 AC2,300V 1min　所有外部端子和外壳间
抗干扰性 AC100～240V型：电源端子标准/公共模式±1,500V(上升沿1ns的矩形波、脉冲宽度1μs、 100ns)
AC/DC24V型：电源端子标准/公共模式±1,500V(上升沿1ns的矩形波、脉冲宽度1μs、 100ns)
耐振动 振动频率： 10～55Hz、加速度： 50m/s² X、Y、Z各方向 5min×10次扫描
耐冲击 150m/s²(继电器接点为100m/s²) 3轴6方向各3次
本体质量 约300g(本体)
保护结构 前面符合NEMA4X室内标准(相当于IP66)
后箱 IP20
端子部 IP00+指触保护(VDE0106/100)
内存保护 EEPROM(非易失性内存)、写入次数： 10万次
使用标准 UL61010-1、 CSA C22.2 No.61010-1-04、EN61010-1(IEC61010-1)
污染度2/过电压等级Ⅱ
EN61326-1
EMC (EMI)：EN61326-1 工业电磁环境用途
放射妨害电场强度：CISPR 11 Group 1、 class A
杂音端子电压：CISPR 11 Group 1、 class A
(EMS)：EN61326-1 工业电磁环境用途
静电放电抗扰性：EN61000-4-2 ： 4kV(接触)、 8kV(大气中)
射频电磁场辐射抗扰：EN61000-4-3 ： 10V/m 正弦波振幅调制(80MHz～1GHz、 1.4～2GHz)
瞬态/脉冲群抗扰性：EN61000-4-4 ： 2kV(电源线)： 1kV(I/O信号线)
浪涌抗扰性：EN61000-4-5 ： 1kV线间(电源线)： 2kV大地间(电源线)
传导干扰抗扰性：EN61000-4-6 ： 3V(0.15～80MHz)
商用频率磁界抗扰性：EN61000-4-8 ： 30A/m(50Hz) 连续时间
电压陷落/断电YZ能力：EN61000-4-11 ： 0.5周期、 0°/180°、 (额定电压)

输入范围（测量范围和精度）
输入类型 范围 设定值 测量范围 输入阻抗 测量精度 允许的瞬间过载(30秒)
负载传感器、mV
K3HB-VLC A
0.00～199.99mV 1MΩ以上 ±0.1%rdg±1位以下 ±200V
B
0.000～19.999mV ±0.1%rdg±5位以下
C
±100.00mV ±0.1%rdg±3位以下
D
±199.99mV ±0.1%rdg±1位以下

注1. 环境温度为23±5℃时，测量精度可以确保。但输入值的10％以下时，各输入范围为±0.1％FS。
2. 字母rdg表示读数的意思。

显示位数	-19999～99999
采样周期	50次/s(20ms)
比较输出响应时间	100ms以下(使输入信号从15%急速变化到95%、或者从95%变化到15%时，比较输出完成的时间)
线性输出响应时间	150ms以下(使输出信号从15%急速变化到95%、或者从95%变化到15%时，模拟量输出达到值所需的时间)
绝缘电阻	20MΩ以上(DC500V兆欧表)
耐电压	AC2,300V 1min　所有外部端子和外壳间
抗干扰性	AC100～240V型：电源端子标准/公共模式±1,500V(上升沿1ns的矩形波、脉冲宽度1μs、 100ns) AC/DC24V型：电源端子标准/公共模式±1,500V(上升沿1ns的矩形波、脉冲宽度1μs、 100ns)
耐振动	振动频率： 10～55Hz、加速度： 50m/s² X、Y、Z各方向 5min×10次扫描
耐冲击	150m/s²(继电器接点为100m/s²) 3轴6方向各3次
本体质量	约300g(本体)
保护结构	前面	符合NEMA4X室内标准(相当于IP66)
后箱	IP20
端子部	IP00+指触保护(VDE0106/100)
内存保护	EEPROM(非易失性内存)、写入次数： 10万次
使用标准	UL61010-1、 CSA C22.2 No.61010-1-04、EN61010-1(IEC61010-1) 污染度2/过电压等级Ⅱ EN61326-1
EMC	(EMI)：EN61326-1 工业电磁环境用途放射妨害电场强度：CISPR 11 Group 1、 class A 杂音端子电压：CISPR 11 Group 1、 class A (EMS)：EN61326-1 工业电磁环境用途静电放电抗扰性：EN61000-4-2 ： 4kV(接触)、 8kV(大气中) 射频电磁场辐射抗扰：EN61000-4-3 ： 10V/m 正弦波振幅调制(80MHz～1GHz、 1.4～2GHz) 瞬态/脉冲群抗扰性：EN61000-4-4 ： 2kV(电源线)： 1kV(I/O信号线) 浪涌抗扰性：EN61000-4-5 ： 1kV线间(电源线)： 2kV大地间(电源线) 传导干扰抗扰性：EN61000-4-6 ： 3V(0.15～80MHz) 商用频率磁界抗扰性：EN61000-4-8 ： 30A/m(50Hz) 连续时间电压陷落/断电YZ能力：EN61000-4-11 ： 0.5周期、 0°/180°、 (额定电压)

输入类型	范围	设定值	测量范围	输入阻抗	测量精度	允许的瞬间过载(30秒)
负载传感器、mV K3HB-VLC	A		0.00～199.99mV	1MΩ以上	±0.1%rdg±1位以下	±200V
B		0.000～19.999mV	±0.1%rdg±5位以下
C		±100.00mV	±0.1%rdg±3位以下
D		±199.99mV	±0.1%rdg±1位以下

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