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低噪声设计:在0 PF下小于2.0 keV(Si) 高能量速率能力:Z多可达2x106MEV每秒 FET输入,二极管保护 独立能量和快速定时输出 在0 pf时,快速上升时间小于3 ns 小尺寸 能够在真空室工作的
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