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技术参数: 一次解吸温度:50-380℃,控制精度±1℃ 冷阱(电子半导体制冷)温度:制冷温度可达零下30度二次解吸温度:150-380℃,升温速率>1800℃/分管路加热温度:50-200℃,控制精度±1℃功率:<800VA 主要特点: 通用性能强:可与任意品Pai气相色谱仪(GC)和(GC-MS)联用; 操作简单,使用方便,全程软件控制,自动化程度高:只需将样品管放入热解吸仪中,一切操作和控制均由控制软件完成,因而样品重复性好;主机中超大触摸液晶板设计,可全程跟踪温度、操作命令。样品处理简单:样品管可拆卸,方便进行携带和野外样品采集;
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