雪崩光电二极管阵列（APD阵列）_详细资料

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雪崩光电二极管阵列（APD阵列）
该系列雪崩光电二极管专门针对激光雷达（LIDAR）系统和激光测距仪而设计，包含线性与矩阵阵列，在单片冲模上配置多个传感器，如8像素、16像素或64像素等。
特性
·         在900nm波段范围内具有快速上升时间
·         在工作电压大于偏置电压时可实现低增益斜率
·         可有效降低偏置水平
·         低温度系数
·         活性表面直径达5毫米

多元阵列
技术规格和PDF数据图表
型号
芯片
封装
有源元件
量子效率 (QE)
501099
8AA0.4-9
SOJ22GL
8
> 80 % at 760-910 nm with NTC
501098
16AA0.13-9
SOJ22GL
16
> 80 % at 760-910 nm with NTC
501097
16AA0.4-9
SOJ22GL
16
> 80 % at 760-910 nm
501207
QA4000-9
TO8Si
4
> 80 % at 760-910 nm
50117401
QA4000-10
TO8Si
4
High QE at 850-1070 nm
501585
QA4000-10
TO8S
4
High QE at 850-1070 nm

评估板
技术规格和PDF数据图表
型号
芯片
封装
有源元件
50156801
16AA0.4-9
PCBA
16

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型号	芯片	封装	有源元件	量子效率 (QE)
501099	8AA0.4-9	SOJ22GL	8	> 80 % at 760-910 nm with NTC
501098	16AA0.13-9	SOJ22GL	16	> 80 % at 760-910 nm with NTC
501097	16AA0.4-9	SOJ22GL	16	> 80 % at 760-910 nm
501207	QA4000-9	TO8Si	4	> 80 % at 760-910 nm
50117401	QA4000-10	TO8Si	4	High QE at 850-1070 nm
501585	QA4000-10	TO8S	4	High QE at 850-1070 nm