K2500 MMR变温霍尔效应测量系统

变温霍尔效应测量系统---桌面紧凑型

霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性，可以测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型

主要参数：

1. 样品固定方式：弹簧探针或引线治具
2. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）
3. 磁场：5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1.4T电磁场（可选）
4. 温度稳定度：<=0.05K
5. 温度响应：1K/sec
6. 致冷片：10X14 mm
7. 电阻率：10^-6~10¹³ Ohm*cm
8. 载流子迁移率：10^-2~10⁹ cm²/volt*sec
9. 载流子浓度：10²~10²²cm^-3
10. 电流范围：0.1 pA~10mA
11. 电压范围：+/-2.5V，Z小可测到6X10^-6 V
12. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms

微探针平台

微探针平台可用于研究材料在不同温度下的电学及光学性质, 典型的应用包含深能级瞬态谱,IC,MEMS, 红外探测器,显微操作等

主要参数：

1. 探针类型：钨探针或光纤
2. 可控探针数：2~7
3. 探针移动范围：25 mm x 25 mm x 6 mm
4. 定位精度：50um
5. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）温度稳定度：<=0.05K
6. 温度响应：1K/sec
7. 致冷片：10X14 mm

塞贝克效应测量系统 –热电系数测量系统

热电材料的研究在能量保存和能源替代方面有着重要的作用, 而热电系数是热电材料的主要参数之一. 通过研究不同温度下的热电系数并配合理论模型可得到载流子类型和能带结构信息等. 主要应用于能源效率, 替代能源, 汽车和燃料消耗等研究.

主要参数：

1. 待测样品与参考样品增益不匹配度： <0.1%
2. 样品长度：2~10mm
3. 电压分辨率：50nV
4. Z多可重复测量次数: 128 (自动取平均值)
5. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）

超低温保存系统--无需致冷剂

超低温保存系统主要用于生物活细胞的冷冻, 保存及运输. 体积小巧, 无需致冷剂, 免维护

主要参数：

1. 深度致冷温度：85K(-188度)~室温
2. 温度稳定性: +/-0.5度
3. 温度分辨率: 1度
4. 储存罐大小: 5.0cm直径X 7.6cm 深度
5. 体积: 40X28X35cm
6. 重量:15.7Kg