ATT1100--雪崩二极管(APD)--激光测距用
ATT1000是专门为激光测距优化设计的雪崩二极管(APD),具有高速响应、高增益、低结电容、低噪声的特点,非常适合激光测距、雷达等应用。
ATT1100--雪崩二极管(APD)--激光测距用
特征:
l 高速响应、高增益、低结电容、低噪声
l 正照平面型芯片结构
l 230μm、500μm光敏面可选
l 陶瓷贴片封装
l 内置滤波片(635nm窄带)和白玻窗可选
典型应用:
l 激光测距
l 激光告警
l 激光雷达
1
Z大额定值
参数名称 | 符号 | Z小值 | Z大值 | 单位 |
工作温度 | TOP | -20 | 85 | ℃ |
储存温度 | Tstg | -55 | 125 | ℃ |
工作电压 | Vop | | 0.9×VBR | V |
焊接温度 | Stemp | | 260 | ℃ |
耗散功率 | | | 1 | mW |
正向电流 | | | 1 | mA |
2
光电性能(@Tc=22±3℃)
特性参数 | 符号 | 测试条件 | Z小 | 典型 | Z大 | 单位 |
光谱响应范围 | λ | — | 400~1100 | nm |
光敏面直径 | φ | — | 200(1)、500(2) | μm |
响应度 | Re | λ=800nm,φe=1μW, M=1 | | 0.5 | | A/W |
响应时间 | tS | f=1MHz,RL=50Ω,λ=800nm | | 0.3 | | ns |
暗电流 | ID | M=100 | 0.02(1) | 0.05(1) | 0.4(1) | nA |
0.05(2) | 0.1(2) | 0.5(2) |
总电容 | Ctot | M=100,f=1MHz | | 1.5(1) | | pF |
| 3(2) | |
Z适宜的放大倍数 | M | | | 100 | | |
反向击穿电压 | VBR | IR=10uA | 80 | | 200 | V |
工作电压温度系数 | δ | Tc=-40℃~85℃ | | 0.5(1) | | V/℃ |
| 0.5(2) | |
注:
(1) 为光敏面φ230μm器件之参数
(2) 为光敏面φ500μm器件之参数