SG01M-18 德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01M-18S SG01M-18_详细资料

产品信息

特性：
1. 采用碳化硅（SiC）材料
2.       宽频段（UVA+UVB+UVC）
3. 有效探测区域0.2mm²（SG01M-51LENS敏感区域为11.0mm²，可探测非常弱的辐射）
4.       10mW/cm²峰值辐射照度产生约2600nA电流（10uW/cm²峰值的SG01M-51LENS约140nA）
5.       芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）
关于碳化硅材料（SiC）：
SiC可承受极端辐射硬度，近乎的可见盲区，低暗电流，高速响应和低噪音的独特属性；这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的Z佳使用材料。SiC探测器可以*工作在高达170℃的温度中，信号（响应率）的温度系数也很低，<0.1%/K。由于（fA级别的暗电流）噪音低，很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量，（需要适当的放大器）。
SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器，提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。
技术参数:
型号
SG01M-18
SG01M-18S
SG01M-18ISO90
SG01M-5LENS
响应率
0.13A/W
0.13A/W
0.13A/W
0.13A/W
波长典型值
280nm
280nm
280nm
280nm
波长范围（S=0.1*S_max）
221-358nm
221-358nm
221-358nm
221-358nm
可见盲区（S_max/S_>405nm）
>10¹⁰
>10¹⁰
>10¹⁰
>10¹⁰
有效探测区域
0.2mm²
0.2mm²
0.2mm²
0.2mm²（芯片尺寸）11.0mm²(辐射敏感区域)
暗电流（1V反向偏压）
0.7fA
0.7fA
0.7fA
0.7fA
电容
50pF
50pF
50pF
50pF
短路电流（10mW/cm²峰值辐射照度）
约2600nA
约2600nA
约2600nA
（10uW/cm²峰值）约140nA
温度系数
<0.1%/K
<0.1%/K
<0.1%/K
<0.1%/K
操作温度
-55～+170℃
-55～+170℃
-55～+170℃
-55～+170℃
储存温度
-55～+170℃
-55～+170℃
-55～+170℃
-55～+170℃
焊接温度（3S）
260℃
260℃
260℃
260℃
反向电压V_Rmax
20V
20V
20V
20V
物理特性
采用T018金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地
采用T018金属外壳密封，带小盖帽，1针脚绝缘，1针脚接地
采用T018金属外壳密封，2针脚绝缘，1针脚接地
内置聚光镜，采用T05金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地

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型号	SG01M-18	SG01M-18S	SG01M-18ISO90	SG01M-5LENS
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波长典型值	280nm	280nm	280nm	280nm
波长范围（S=0.1*S_max）	221-358nm	221-358nm	221-358nm	221-358nm
可见盲区（S_max/S_>405nm）	>10¹⁰	>10¹⁰	>10¹⁰	>10¹⁰
有效探测区域	0.2mm²	0.2mm²	0.2mm²	0.2mm²（芯片尺寸）11.0mm²(辐射敏感区域)
暗电流（1V反向偏压）	0.7fA	0.7fA	0.7fA	0.7fA
电容	50pF	50pF	50pF	50pF
短路电流（10mW/cm²峰值辐射照度）	约2600nA	约2600nA	约2600nA	（10uW/cm²峰值）约140nA
温度系数	<0.1%/K	<0.1%/K	<0.1%/K	<0.1%/K
操作温度	-55～+170℃	-55～+170℃	-55～+170℃	-55～+170℃
储存温度	-55～+170℃	-55～+170℃	-55～+170℃	-55～+170℃
焊接温度（3S）	260℃	260℃	260℃	260℃
反向电压V_Rmax	20V	20V	20V	20V
物理特性	采用T018金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地	采用T018金属外壳密封，带小盖帽，1针脚绝缘，1针脚接地	采用T018金属外壳密封，2针脚绝缘，1针脚接地	内置聚光镜，采用T05金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地