吉时利 2430 数字源表

吉时利KEITHLEY2400系列源表研究领域：
各种器件的I-V功能测试和特征分析，包括：
离散和无源元件
–两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻
–三抽头器件——小信号双极结型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）等等
简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感器
集成器件——小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI）
–模拟IC
–射频集成电路（RFIC）
–专用集成电路（ASIC）
–片上系统（SoC）器件
光电器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、显示器
圆片级可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、电迁移
太阳能电池
电池
暂态YZ器件
IC、RFIC、MMIC
激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器
电路保护器件:
TVS、MOV、熔丝
安全气囊
连接器、开关、继电器
碳纳米管
半导体纳米线
碳纳米管 FET
纳米传感器和阵列
单电子晶体管
分子电子
有机电子
基本运放电路
二极管和电路
晶体管电路

测试：
漏流
低压、电阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔离与轨迹电阻
温度系数
正向电压、反向击穿、漏电流
直流参数测试
直流电源
HIPOT
介质耐受性

双极结型晶体管设计
结型场效应晶体管设计
金属氧化物半导体场效应晶体管设计
太阳能电池和 LED 设计
高电子迁移率晶体管设计
复合半导体器件设计

分析纳米材料和实验器件
碳纳米管的电测量标准
测量碳纳米管电气特性
提高纳米电子和分子电子器件的低电流测量
在低功率和低压应用中实现准确、可靠的电阻测量
纳米级器件和材料的电气测量
提高超高电阻和电阻率测量的可重复性
一种微分电导的改进测量方法
纳米技术准确电气测量的技术
纳米级材料的电气测量
降低外部误差源影响的仪器技术
迎接65nm节点的测量挑战
测量半导体材料的高电阻率和霍尔电压
用微微微安量程测量电流
栅极电介质电容电压特性分析
评估氧化层的可靠性

Z新的半导体器件结构设计和试验低电阻、低功耗半导体器
输出极低电流和测量极低电压分析现代材料、半导体和纳米电子元件的电阻
低阻测量(低至10nΩ)分析导通电阻参数、互连和低功率半导体。
用于先进CMOS技术的脉冲可靠性测试
高K栅极电介质电荷俘获行为的脉冲特性分析
用6线欧姆测量技术进行更高准确度的电阻测量
配置分立电阻器验证测试系统
电信激光二极管模块的高吞吐率直流生产测试
多台数字源表的触发器同步
高亮度、可见光LED的生产测试
OLED显示器的直流生产测试
在运行中第5次测量用于偏置温度不稳定特性分析
数字源表的缓冲器以及如何用这两个缓冲器获取多达5000点数据
连接器的生产测试方案
射频功率晶体管的直流电气特性分析

1. MOS 电容器
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
掺杂类型 – 氧化层厚度 – 平带电压 – 阈值电压 – 衬底掺杂 – Z大耗尽层宽度 – 反型层到平衡的灵敏度：电压扫描率和方向 – 光效应和温度效应。
I-V 曲线分析：
电荷建立 (测量电压 - 时间图，用低电流源)； 氧化层电容测定； 与 C-V 曲线比较。
C-V 曲线 (准静态) 结合 C-V 曲线：
表面电位 Ψs 与施加电压的关系 – Si (100) 的表面态密度 Dit = f (Ψs) 与 Si (111) 的相比：方向和后处理退火的影响。
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
移动氧化层电荷密度 (偏压温度应力：200°C，10 分钟，±10V)

2. 双极结型晶体管
主题
正向共发射极输出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 测量。
正向 CE 输入特性：Ib = f (Vbe) 对于几个 Vce 正值。
正向 Gummel 曲线： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
确定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
Βf 与 log(Ic) 的关系： 低注入和高注入的效果。
非理想特性：尔利电压。
反向 CE 输出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反向 CE 传输特性：Ib=f(Vbe) 对于几个Vce负值。
反向 Gummel 曲线： logIe, logIb=f(Vbc>0).
确定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
Βr 与 log(Ie) 的关系： 低注入和高注入的效果。
Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 确定，对于给定的 Ib 电流。
Ebers Moll 模型构建并且与实验做比较。
BE 和 CE 结的 C-V 特性分析。基区掺杂浓缩。

3. 亚微米集成 MOSFET
输出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增强或耗尽)，沟道长度调制参数(λ) 在饱和区域 (VDS<–3V) 有效沟道长度与 VDS 的关系。
传输特性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
衬底偏压特性：
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亚阈值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
衬底电流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用长沟道和短沟道公式的输出特性模型：比较实验结果。

美国吉时利KEITHLEY2400数字源表进行VCSEL测试
美国吉时利KEITHLEY2400测量光伏电池的I-V特性
美国吉时利KEITHLEY2400系列数字源表的SCPI应用转换为2600系列源表的脚本应用
美国吉时利KEITHLEY2400系列数字源表进行IDDQ测试和待机电流测试
使用两台美国吉时利KEITHLEY2400型数字源表输出2A电流
美国吉时利KEITHLEY2400或其它非脉冲模式源表产生电流 (或电压) 脉冲
美国吉时利KEITHLEY2400系列数字源表提升多引脚器件的生产量
美国吉时利KEITHLEY2400数字源表创建可扩缩、多引脚、多功能IC测试系统
美国吉时利KEITHLEY2402数字源表对激光二极管模块和VCSEL进行高吞吐率直流生产测试
美国吉时利KEITHLEY2400系列数字源表进行二极管生产测试
美国吉时利KEITHLEY2400系列数字源表进行高亮度、可见光LED的生产测试
美国吉时利KEITHLEY2400系列数字源表进行IDDQ测试和待机电流测试
美国吉时利KEITHLEY2400 数字源表验证变阻器
美国吉时利KEITHLEY2400系列源表进行电池放电/充电周期
美国吉时利KEITHLEY2400配置电阻网络的生产测试系统
美国吉时利KEITHLEY2430 1kW 脉冲源表进行大电流变阻器的生产测试
美国吉时利KEITHLEY2400数字源表进行热敏电阻的生产测试

keithley2400美国吉时利KEITHLEY源表概述
2400型通用性源表Z大可测量200V的电流和1A的电流，输出功率20W

吉时利数字源表系列特别适用于需要精密电压源和电流源驱动，同时进行电流与电压测量的测试应用。所有源表都提供精密的电压和电流源测量能力。每个源表均由一个高稳定的直流源和一个真仪器级的5位半多功能表组成。该电源特性包括：低噪声，高精度和回读功能。万用表功能包括高重复性和低噪音。其结果形成了一个紧凑的单通道直流参数测试仪。在操作中，这些仪器可以作为一个电压源，电流源，电压表，电流表和欧姆表。通信、半导体、计算机、汽车与YL行业的元件与模块制造商都将发现，数字源表对于各种特征分析与生产过程测试都极具实用价值