1:高5.2MM*宽6.5MM*长10MM的超小型,对应高度封装。
2:实现高度为5.2MM的低高度,封装效率提高的承诺。
3:约0.7G的超轻量型。对应更高速度的封装。
4:实现于本公司以往产品相比70%的低电力消耗100MW的高灵敏度,
5:实现线圈接点耐高压AC1,500V,且耐冲击电压1.5KV 10*160US(TCC PART68标准)。
具体型号:
G6K-2P-5V
G6K-2P-12V
G6K-2P-24V
G6K-2P-Y-5V
G6K-2P-Y-12V
G6K-2P-Y-24V
G6K-2F-5V,G6K-2F-12V,G6K-2F-24V,G6K-2F-Y-5V,G6K-2F-Y-12V,
G6K-2F-Y-24V
G6K-2G-3V,G6K-2G-4.5V,G6K-2G-5V,G6K-2G-12V,G6K-2G-24V,G6K-2G-Y-3V,G6K-2G-Y-4.5V,G6K-2G-Y-5V,G6K-2G-Y-12V,G6K-2G-Y-24V
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1:长端子形状,焊接部分的长期连接可靠性提高。2:内部为L端子形状,可进行高密度封装。3:独特的端子构造,IRS封装时端子温度容易上升,焊接性能良好。4:线圈接点间耐高压2,000AC,高度耐冲击电压2,500V 2*10US。5:额定消耗电力140MW的高灵敏度化。6:高9.4MM*宽7.5MM*长15MM的小型尺寸。7:采用耐热材料,对应IRS封装法。
G6S-2-3V,G6S-2-4.5V,G6S-2-5V,G6S-2-12V,G6S-2-24V,G6S-2F-3V,G6S-2F-4.5V,G6S-2F-5V,G6S-2F-12V,G6S-2F-24,G6S-2G-3V,G6S-2G-4.5V,G6S-2G-5V,G6S-2G-12V,G6S-2G-24V,
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1:实行高度5MM,可以与半导体元件安装于同一基板。2:额定消耗电力140MW的高灵敏度。3:低消耗电力实现的低热起电力化(约2UV)(G6H-2F除外)。4:漏磁力线少,可进行高密度实装。5:确保耐冲击电压1500V。6:实现高速动作。7:标准型取得UL,CSA规格。8:超声波清洗对应,备用1绕组闭锁型和2绕组闭锁型。备有完全对应IRS,VPS的表面安装型。
G6H-2-3V
G6H-2-5V
G6H-2-12V
G6H-2-24V
G6HK-2-5V
G6HK-2-12V
G6HK-2-24V
G6H-2-U-5V
G6H-2-U-12V
G6H-2-U-24V
G6H-2F-3V
G6H-2F-5V
G6H-2F-12V
G6H-2F-24V