德国徕卡DM8000M-CDM系列测量针对半导体制程中光学检测需求开发设计,同时具有套刻、线宽和缺陷检测三种功能,可满足90nm工艺节点的套刻测量,0.5um以上的线宽测量及用户自定义的缺陷检测。
Leica DM8000M采用先进的图形处理技术和成像系统,具有测量精度高、速度快、应用灵活等特点,可使用于半导体工艺、微纳加工、MEMS、LED等领域中的良率控制。
可支持晶圆尺寸:max :8"Inch
Z小可测量线宽:0.5um
线宽测量重复性:3σ≤8 nm
套刻测量重复性:3σ≤6 nm
支持缺陷类型:颗粒;刮伤; 图形损坏或客户定义的缺陷类型
聚焦方式:自动
上/下片方式:手动
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