技术要求
典型数值在27°C
氧化层厚度4000A
辐射Vth灵敏度
辐射场= 0.125 MV/cm : 灵敏度= 1.33mV/rad
辐射场= 0 MV/cm : 灵敏度= 0.463mV/rad
（灵敏度在 1.5 krad（H2O），在以下读写器的配置中使用一个恒量10µA）
温度补偿 TVTC 2.5mV/°C
（该数据出自温度27°C-100°C线性模式中的外推Vtp数值.）
线性模式中Z.T.C. 数值~ -500nA
（Vs=Vb=0, Vds=-0.1）
饱和模式中Z.T.C.数值~ -1µA
（使用以下读写器电路配置）
预辐射剂量计的特点阈值电压（外推） -1.0 +/- 0.4V
Vth漂移时间（秒） 2.5mV/十年
（该数据出自读写器配置强迫40µA）
氧化层击穿电压~280V
沟道漏电流 Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 25 pA
亚阈值斜率220 +/- 20 mV/decade
沟道电阻 Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.75 Mohms
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