R3T高速等离子蚀刻机（rapid reactive radicals technology ）
STP 2020
内置R3T等离子源
等离子区水冷
极低的基板热负荷
专为SU-8灰化及硅蚀刻进行了优化（如MEMS应用）
蚀刻率：
SU-8样品超过20um/分硅样品高达90um/分
温度控制高达120oC
基板尺寸可达 460mm x 460mm
现场验证
高度符合环保要求
SU-8 灰化
特殊功能：
高蚀刻速率 在超大面积上超过200um/h（批量9x6”晶圆）
并与厚度无关；小型样品超过20um/分
硬烘烤条件（HB）下蚀刻率与穿透性无关；
非HB及200oC HB的蚀刻率差别小于10%
可剥离非常厚的光刻胶层（大于1mm）
纯化学蚀刻：无离子损伤，无热冲击仅依靠反应能量进行
对金属无损伤，如镍, 镍/铁, 金, 铜等
对硅及硅化合物仅有极轻微损伤
如SiO2 或 Si3N4
不产生有机残留物；无机残留物能以其它
清除手段移除
能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻
对每块基板可实现结束点检测
技术规格：
+紧凑型设计，尺寸 w x d x h:
800 mm x 800 mm x 1950 mm
+等离子腔，内部尺度 w x d x h
500 mm x 500 mm x 400 mm
（9 x 6”晶圆）
+可脉冲式运行
+压力范围：
40Pa - 530Pa 相当于 0.3 Torr - 4.0 Torr
励磁频率：2.46 GHz +/-10 MHz
可提供：
+委托加工+用户定制加工的开发+设备租赁
技术特点：
*可蚀刻或移除所有有机物质如SU-8,或其他环氧基物质
*速度快
*无残留
*可进行高度比极大的蚀刻
*极低的热应力
all kind of organic materials like SU-8 resist or other epoxy based materials with excellent throughput and free of residues especially at structures with high aspect ratio
典型应用：
-光刻胶移除
-灰化
-同质性硅结构蚀刻SiN or SiO2.
-晶元削薄/研磨后的应力消除（sawing kerfs, laser kerfs）
-MEMS,微机械设备
-LIGA 制程
