等离子体增强化学气相沉积和化学气相沉积SiGe—沉积锗硅

 薄膜电阻率：1×10-3 欧姆•厘米
• 接触电阻率 SiGe/Al 在6×10-6 至9×10-5欧姆•厘米之间
• 应力： -5兆帕
• 化学气相沉积锗硅可以在450oC下以20纳米/分钟的速率生长
• 等离子体增强化学气相沉积微晶锗硅可以在300° - 400° C下以10-20纳米/分钟的速率沉积
• 欧洲微电子ZX和工艺

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