测量范围 | 电阻率:0.001~200Ω.cm(可扩展); 方块电阻:0.01~2000Ω/□(可扩展); 电导率:0.005~1000 s/cm; 电阻:0.001~200Ω.cm; |
可测晶片直径 | 140mmX150mm(配S-2A型测试台); 200mmX200mm(配S-2B型测试台); 400mmX500mm(配S-2C型测试台); |
恒流源 | 电流量程分为0.1mA、1mA、10mA、100mA四档,各档电流连续可调 |
数字电压表 | 量程及表示形式:000.00~199.99mV; 分辨力:10μV; 输入阻抗:>1000MΩ; 精度:±0.1% ; 显示:四位半红色发光管数字显示;极性、超量程自动显示; |
四探针探头基本指标 | 间距:1±0.01mm; 针间绝缘电阻:≥1000MΩ; 机械游移率:≤0.3%; 探针:碳化钨或高速钢Ф0.5mm; 探针压力:5~16 牛顿(总力); |
模拟电阻测量相对误差 ( 按JJG508-87进行) | 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 |
整机测量Z大相对误差 | (用硅标样片:0.01-180Ω.cm测试)≤±5% |
标准使用环境 | 温度:23±2℃; 相对湿度:≤65%; 无高频干扰; 无强光直射; |