带电粒子探测器与核电子学仪器
1 带电粒子的测量与探测器的基本类型
ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺，其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器，除应用本身外，在探测器上应从耗尽层厚度、结电容、漏电流、电子噪声、能量分辨率等性能指标上综合权衡。
用于alpha能谱测量的ULTRA和ULTRA-AS探测器采用了表面钝化和离子注入工艺（即PIPS探测器），该工艺的探测器有诸多优点：接触极更薄，更坚固；低噪声，对Alpha能谱分辨率好；使用边缘钝化技术，可以使样品离探测器入射窗小到1毫米。而一般的面垒型探测器Z小只能达到2.5毫米。所以该类型探测器的效率要更高；常温使用，探测器窗可擦拭。
Ultra-AS针对Ultra的区别或改进是采用了进一步低本底的材料，以专适于在ORTEC Alpha Suite谱仪。
ULTRA-CAM系列则是针对气溶胶连续监测设计，探测器具有特殊密闭和抗潮性能。
Beta能谱测量的难处在于常温状态下由硅探测器很难获得良好的分辨率。ORTEC提供以下两种解决方案：1，Beta-X Si（Li）一体化探测器（包含探头，冷指前放）；2，A和L系列可制冷的厚硅探测器。
带电粒子探测器在核物理实验中的应用有诸多方面，ORTEC在其探测器类型上都有相应的侧重。比如重离子由于其高度电离和短径迹特性，需要探测器在前接触级具有强电场，适用的F系列探测器在前接触级的场强为20,000V/cm。而对带电粒子的时间谱测量，需要用ULTRA系列或能承受超电压的强场局部耗尽探测器。
ULTRA与ULTRA-AS系列离子注入硅探测器
A系列局部耗尽金硅面垒探测器
B系列全耗尽金硅面垒探测器
C系列环形局部耗尽金硅面垒探测器
D系列平面全耗尽金硅面垒探测器
F系列局部耗尽重离子金硅面垒探测器
L系列锂漂移硅（室温）探测器
