日本欧姆龙高精度位移传感器,欧姆龙ZG销售处
OMRON位移传感器
它通过电位器元件将机械位移转换成与之成线性或任意函数关系的电阻或电压输出。普通直线电位器和圆形电位器都可分别用作直线位移和角位移传感器。但是,为实现测量位移目的而设计的电位器,要求在位移变化和电阻变化之间有一个确定关系。图1中的电位器式位移传感器的可动电刷与被测物体相连。物体的位移引起电位器移动端的电阻变化。阻值的变化量反映了位移的量值,阻值的增加还是减小则表明了位移的方向。通常在电位器上通以电源电压,以把电阻变化转换为电压输出。线绕式电位器由于其电刷移动时电阻以匝电阻为阶梯而变化,其输出特性亦呈阶梯形。如果这种位移传感器在伺服系统中用作位移反馈元件,则过大的阶跃电压会引起系统振荡。因此在电位器的制作中应尽量减小每匝的电阻值。电位器式传感器的另一个主要缺点是易磨损。它的优点是:结构简单,输出信号大,使用方便,价格低廉。
OMRON位移传感器
它的测量原理是保持霍耳元件(见半导体磁敏元件)的激励电流不变,并使其在一个梯度均匀的磁场中移动,则OMRON位移传感器正比于输出的霍耳电势。磁场梯度越大,灵敏度越高;梯度变化越均匀,霍耳电势与位移的关系越接近于线性。图2中是三种产生梯度磁场的磁系统:a系统的线性范围窄,位移Z=0时,霍耳电势≠0;b系统当Z<2毫米时具有良好的线性,Z=0时,霍耳电势=0;c系统的灵敏度高,测量范围小于1毫米。图中N、S分别表示正、负磁极。霍耳式位移传感器的惯性小、频响高、工作可靠、寿命长,因此常用于将各种非电量转换成位移后再进行测量的场合。1. 将实际测量ZX距离(有效值)的ZX光学密度定义为1/e2(13.5%)。定义区域外也有漏光,当工件周围的光反射率高于工件的状况下可能有一定影响。
*2. 相对于理想直线的测量值误差。工件为白色铝瓷(ZS-LD50/LD50S的正反射模式为玻璃)。根据工件直线可能变更。
*3. 平均次数128次,设定为高精度模式时的测定ZX距离的位移输出的[峰值-峰值]的位移换算值。工件为白色铝瓷(ZS-LD50/LD50S的正反射模式为玻璃)。
( )内为设定为平均次数4096次,这是通过USB或RS-232获取数据时的代表例。
*4. 当传感头和工件通过铝夹固定时在测量ZX距离处得到的温度特性。
*5. 设定为高速模式时。E2E-X2E1/ E2E-X5ME1/ E2E-X5E1/ E2E-X10ME1/
E2E-X10E1/ E2E-X10E2/ E2E-X18ME1/ E2E-X2F1/ E2E-X5F1/ E2E-X18MF1/ E2E-X1R5Y2/
E2E-X2Y1/ E2E-X2Y2/ E2E-X5MY1/ E2E-X5Y1/E2E-X5Y2/ E2E-X10MY1/ E2E-X10Y1/
E2E-X10Y2/ E2E-X18MY1/ E2E-X18MY2/ E2E-X2Y1/ E2E-X2Y2/ E2E-X5MY1/ E2E-X5MY2/
E2E-X5Y1/ E2E-X5Y2/ E2E-X10MY1/ E2E-X10MY2/ E2E-X10Y1/ E2E-X10Y2/ E2E-X18MY1/
E2E-X18MY2/ E2E-X5Y1-53/ E2E-X5Y2-53/ E2E-X10MY1-53/ E2E-X10MY2-53/
E2E-X10Y1-53/ E2E-X10Y2-53/ E2E-X18MY1-53/ E2E-X18MY2-53 /E2E-CR8B1-G1/
E2E-CR8B2-G1/ E2E-CR8C1-G1/ E2E-CR8C2-G1/ E2E-X1B1-G1/ E2E-X5E25/ E2E-X5Y15/
E2E-X5Y15/ E2E-X10ME15/ E2E-X10ME15/ E2E-X10ME25/ E2E-X10ME25/ E2E-X10MY15/
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