FT838NB过五级能效充电器电源方案
FT838NB 5V1A充电器方案
输入电压范围: 90~264V
输出电压/电流: 5V/1.0A
尺寸: 54*32.5mm
典型效率: 74%
EMI: pass
空载待机功耗: <100mW
Z大输出纹波: <120mVp-p
FT838NB优势:
1、满足能源之星2.0和5级能效;
2、内置NPN;
3、批量输出电压精度电流精度±5%
以内;
4、保护功能齐全,可靠性好;
5、满足EN55022 ClassB EMI要求;
FT838NB应用范围
1、待机功耗要求严格的待机电源应用
2、PDA数码相机等电池充电器产品
3、ADSL, 无绳等适配器产品
4、LED射灯、灯杯和球泡灯等照明产品
FT838NB特点
1、无光耦及TL431反馈
2、脉冲频率调制控制模式(PFM)
3、内置功率NPN三极管
4、内置抖频功能来改善EMI性能
5、每一个开关周期的电流限制功能
6、过压保护(OVP)
7、欠压锁定(UVLO)
8、输出短路保护
9、内置输出线损补偿
10、输入线电压补偿提高输出电流精度
芯片版本与管脚定义
FT838NB0 |
0% |
FT838NB1 |
3% |
FT838NB2 |
6% |
FT838NB3 |
9% |
FT838RNA |
N/A |
表1FT838NB/FT838RNA 芯片
FT838NB内置输出线损补偿,用户可根据实际输出导线情况选择合适的芯片版本。FT838RNA主要应用于LED驱动应用,故无线损补偿。
新产品一览图以及其优势与可替换方案
FT833S11 内置MOS 3W 250ma
FT833A11 内置MOS 3-5W 300ma
可替代 晶丰源 9011 9022 7523
可替代BP3122、BP9011
FT833B12 内置MOS 7-9W SOP-8
可替代 晶丰源 BP3133
FT833BD 内置MOS 12W sop-8
FT8260为不可调光 sot23-6
FT8261 为可调光IC sot23-6 外挂MOS 可做30W以,精度3%,效率88%以上
FT8260B 7W
可替代 晶丰源BP7933 可互相兼容
FT883A 3.6W 内置MOS 非隔离不带PF值优势为市面上仅有的即可降压又可升压的电源IC;可满足欧洲PF值,JZ度高,Z大电流为45ma,也就是说Z大能够做到5W
FT886A 7-18W 内置MOS 非隔离不带PF值只具有降压功能
可取代: 晶丰源BP2832、BP2822
FT8900DD 内置MOS DIP封装可面向24W(含)以下瓦数
FT8901B 7W 内置MOS 可调光恒流稳定在3% 以下
FT8901 30W以下外挂MOS 可调光
FT8901DD 24W以下 dip直插内置MOS 可调光(其中瓦数以电流电压来判断其可用范围,每个型号IC均已典型方案提出瓦数)
充电器
FT839NB 内置三极管(NPN) 5V1A 六级能效分为带外电容Y与不带外电容Y,带外电容的多用于适配器,不带电容的多应用于充电器;带Y电容的成本会更高,波纹会更加稳定
FT839MB 内置MOS 5V1. 六级能效
FT838MBD 内置MOS dip-8封装过五级能效