JS08-LH-3 振动样品磁强计 电脑化记录仪 振荡器 高低温测量仪

振动样品磁强计  电脑化记录仪  振荡器 高低温测量仪
  型号：JS08-LH-3

LH-3振动样品磁强计(低场)
用途	1.适用于低饱和场、低Hc磁性薄膜材料的磁性能研究，尤其是其不存在电磁铁类的铁芯剩磁效应而可以准确定出H=0的点，使其特别实用于铁磁/反铁磁界面的磁性钉扎效应研究，诸如钉扎型自旋阀薄膜、钉扎型磁性隧道结结构的薄膜、AMR效应的玻莫合金磁性膜等。 2.由于此设备中的检测线圈可以在不用时任意抬起而使其不占有效磁场的空间，从而可充分利用该设备的磁场作诸如AMR、GMR、JMR等磁电阻特性测量。 3.此设备适用软磁薄膜的磁特性测量，也可作为研究生的磁性测量实验，可给学生灌输诸如Ms、ós、Mr、Hc、Hs、Hd等许多磁学概念，开阔学生的知识面。
型号规格	LH-3型
技术指标	Z大磁场Hmax(Oe)	灵敏度(emu)(磁极间距50mm)	扫描电源输出
	±400	3～5×10-5	10A(5Ω)
特点	1.磁场线圈由无触点平滑过零的扫描电源激磁，产生Hmax＝±400Оe的磁化场，其扫描速度和幅度均可自由调节。磁化场的大小和方向是用激磁电流取样值加以标度，以保证磁场测量更准确。 2.振动头具有双级减振结构，可有效阻断振子与外界的振动偶联；具有三维调节功能，可准确地将样品调整到检测线圈鞍部区。 3.检测线圈采用全封闭型四线圈无净差式，具有较强的YZ噪音能力和大的有效输出信号，保证了整机的高分辨性能。 4.磁矩测量信号和与其对应的其它信号（磁场、温度等）可通过电脑化x-y记录仪实现计算机数据处理。 5.Z高灵敏度在检测线圈间距为30mm（线圈间距50mm）的情况下，可达3～5×10-5emu(注：此为动态测试)。 6. 检测线圈间距为30mm（线圈间距50mm），可以保证在高灵敏度条件下的高低温测量。
主要用户	高 校
	中科院物理所	首都师范大学	复旦大学
	南京大学	东南大学	福建师范大学
	深圳大学	石油大学	浙江师范大学
	ZG科技大学	山西师大
产品配置	振动头，磁场线圈，扫描电源，检测线圈，振荡器，电脑化X-Y记录仪，振动杆，锁相（定）放大器 ,电脑,打印机 选配件:高温装置,低温装置

一． 概述：
　　作为物质（特别是铁磁性材料）内禀磁性检测的通用设备，振动样品磁强计（VSM）因其投资小、坚固耐用，特别是运转费用极低等显著优点而被世界各国广泛运用于科研、教学和生产检测等众多领域，为人类的科技进步作出了巨大贡献。其工作原理大体如图所示。
　　其中，驱动元w的功率输出馈给振动子v，以使振杆p带动被外磁化场He磁化了的样品s做小幅正弦式上下振动，探测线圈C所“感知”到的样品s的信号电压输出馈给相关接受放大系统（-K）。磁场探测单元G的输出VH与（-K）放大单元的输出VJ同相位地一并馈给数据处理单元D。从而当He变化一个周期后，D即可绘出样品s的J-He曲线，此处的J定义为样品s的总磁矩，即J=MV=σm，其M、V、σ、m分别表示样品s的磁化强度，体积，比（质量）磁化强度及质量。D所处理的是两路电压信号，即（-K）一路代表磁矩而G一路代表相对应的外磁化场He，因此必须特别注意后绘制出的J-He曲线（或M-He、σ-He）未必能正确表示所测样品s的磁特性，因为VSM为开磁路测量，其所记录的磁化场He未必就是样品s的内磁场，要想得到s的真实磁化强度与内磁场Hi的函数关系，必须将所测得的He转化成Hi，并将所测J-He曲线转化成J-Hi曲线——此曲线才是样品s的真实特性。要做到这点，就必须预知样品s的在He方向上的退磁因子N，利用Hi=He-NM关系逐点求出与（MHe）相对应的坐标点（MHi），从而绘成M-Hi（或J-Hi）曲线，并可利用B=Hi+4πM的关系式绘制出技术参量B-Hi曲线，由此曲线求得诸如硬磁材料样品s的剩磁Br、矫顽力BHc、Z大磁能级（BHi）max等磁学量。要做到以上几点，关键是要知道s在被测方向上的N，而这在一般情况下是办不到的。通常在旋转椭球体及其退化形式如球形、薄膜形、线形等特殊形状的样品时，方能够用VSM准确测出内禀磁性与内磁化场的函数关系，并可由此关系推演出有关技术参量（即Ｂ-Hi）。从此点也可说VSM的功能是测材料的饱和磁化强度，不提先决条件而夸大VSM功能的宣传内容都是不可取的。
　　VSM有一项衡量其水平高低的主要技术指标：Z高灵敏度。此数值应指在特定条件下（主要是指磁极与样品的距离以及外磁化场He的大小）该设备所能探测到的样品Z小信号，即小于此数值的信号将被淹没在背景噪音中而无法检测出。
　　一般而论，磁极间距越小，磁极越靠近样品，灵敏度将越高，但随之而来的则导致磁场鞍部区变窄,测试结果的重复性降低,不可靠性增大，这是我们不希望出现的现象..而要改变此情况，就必须将检测线圈间距增加（即磁极间距增大），但此时将导致Z高灵敏度的下降。因此，被测信号的可信赖度与系统的Z高灵敏度是互相矛盾的，单强调一方面显然是不恰当的。另外，较小的磁极间距无法作变温测量。我厂产品的磁极间距为50mm，检测线圈间距为30mm，常温与高、低温测量都是在此条件下进行，这既保证了测试结果的可靠性，又保证了具有足够高的灵敏度（5-3×10-5emu）。
　　下图是我厂产品中检测线圈间距与Z高灵敏度间的实测结果:
　　He越大则可能导致背景噪音增大从而Z高灵敏度下降，这实际上是磁场电源质量好坏的一种体现。我厂产品的Z高灵敏度测试条件是在额定Z高磁场的80%内测量。
　　故而，凡不提前提条件而仅表述VSM的Z高灵敏度，是有误导使用者之嫌。另外，Z高灵敏度是以背景噪音的尺度来衡量的，因而，对噪音的标度方法不同（采用均方值？峰-峰值？），即使是同一设备，其结果也不同。我单位采用的是峰-峰值标度方法。
二．本厂生产的VSM型式规格：
1．低场型（LH型）
　　利用无铁芯线圈对产生磁化场，Z大值为±400 Oe；无触点平滑过零自动扫描电源，有手动、自动两种工作模式，在自动状态下可以人为控制扫描速度。特点为无电磁铁型的剩磁效应，操作空间大，磁场均匀空间广，特别适合特软磁性薄膜的测量工作。由于其探头可随时移出工作区，因而可适合特软薄膜磁电阻效应的测量。（诸如GMR、TMR、AMR、铁磁/反铁磁交换偏置效应等的研究工作）。
由于其投资少，还特别适合高年级学生及研究生的实验教学工作。
　　技术参数及特点：Hmax=±400 Oe，在此范围内可任意调节、且不用高斯计检测磁场。样品所处空间位置可由振动头三维调节，故极易将样品置于工作点，Z高灵敏度3~5×10-5emu（探测线圈间距30mm时）；探测线圈间距可人为随时调整，以适用不同需要。由于探测线圈可方便地移离工作区而将均匀磁场区出空，故在配以磁电阻测量单元时，可方便地进行MR的检测工作，可作教学设备。配以两路数据处理单元以实现实时曲线的观察、记录和保存；可配变温装置以实现变温测量。