RHA-ST2258C ST2258A 完全替代 多功能数字式四探针测试仪 四探针电阻率测试仪

一、 结构特征

二、概述 RHA- ST2258C型多功能数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准。
仪器成套组成：由主机、选配的四探针探头、测试台等部分组成。
主机主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成。仪器所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入；具有零位、满度自校功能；电压电流全自动转换量程；测试结果由数字表头直接显示。本测试仪特赠设测试结果分类功能，Z大分类10类。
探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。有高耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有球形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。配专用探头，也可测试电池极片等箔上涂层电阻率方阻。
测试台选配：一般四探针法测试电阻率/方阻配RHA-SZT-A或RHA-SZT-B或RHA-SZT-C或RHA-SZT-F型测试台。二探针法测试电阻率测试选RHA-SZT-K型测试台，也可选配RHA-SZT-D型测试台以测试半导体粉末电阻率，选配SZT-G型测试台测试橡塑材料电阻率。详见《四探针仪器、探头和测试台的特点与选型参考》
仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、结构紧凑、使用简便等特点。
仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。
三、基本技术参数
1. 测量范围、分辨率（括号内为可向下拓展1个数量级）
电 阻：10.0×10-6 ～ 200.0×103 Ω, 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103 Ω
（1.0×10-6 ～ 20.00×103 Ω, 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω）
电 阻 率：10.0×10-6 ～ 200.0×103 Ω-cm 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103 Ω-cm
（1.0×10-6 ～ 20.00×103 Ω-cm 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω-cm）
方块电阻：50.0×10-6 ～ 1.0×106 Ω/□ 分辨率5.0×10-6 ～ 0.5×103 Ω/□
（5.0×10-6 ～ 100.0×103 Ω/□ 分辨率0.5×10-6 ～ 0.1×103 Ω/□）
2. 材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定)
直 径：RHA-SZT-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm，手持方式不限
RHA-SZT-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限.
长(高)度： 测试台直接测试方式 H≤100mm, 手持方式不限.
测量方位: 轴向、径向均可
3. 量程划分及误差等级

满度显示	200.0	20.00	2.000	200.0	20.00	2.000	200.0	20.00	2.000
常规量程	kΩ-cm/□	kΩ-cm/□		Ω-cm/□			mΩ-cm/□		---
Z大拓展量程	---	kΩ-cm/□		Ω-cm/□			mΩ-cm/□		mΩ-cm/□
基本误差	±2%FSB ±4LSB	±1.5%FSB ±4LSB	±0.5%FSB±2LSB				±0.5%FSB ±4LSB		±1.0%FSB ±4LSB

4.工作电源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W
5.外形尺寸： 245mm（长）×220 mm（宽）×95mm（高）
净 重：≤1.5～2.0kg
沉降分析实验仪 型号；RHA-FD-SAE-B
沉降分析是物理化学中的一个基本实验，在工业上也获得广泛应用，是目前颜料工业、硅酸盐工业、陶瓷工业等对原料及成品质量进行检验的重要手段之一。
　　三个优点：
　　1．用硅压力传感器测量样品颗粒的沉降量，该传感器灵敏度高，线性和稳定性好，以数字式电压表输出显示，可用于常规手动记录数据。
　　2．配有计算机接口，由单片机采集数据，计算机跟踪记录沉降过程，获得完整、准确的沉降曲线。
　　3．配专用软件进行数据处理，拟合沉降曲线，得出沉降体系的粒子分布情况，避免了用镜像法作图产生的较大误差。
　　应用该仪器可以完成以下实验内容：
　　1．学习传感器的定标方法，计算传感器的灵敏度；
　　2．观察沉降分析实验的物理过程,了解沉降分析的基本原理及操作方法；
　　3．测定硫酸铅( PbSO4 )微粒半径大小的分布。
　　仪器主要技术参数：
　　1．硅压力传感器 受力量程 0—10g 灵敏度约200mV/g
　　2．三位半直流电压表 量程 0-199.9mV
　　3．量筒500mL
　　4．砝码（4只）200mg
磁天平（古埃型） 型号；RHA-FD-FM-A
　古埃（ Gouy）磁天平的特点是结构简单，灵敏度高。用古埃磁天平法测量顺磁性物质的磁化率，推算其不成对电子数，并判断这些分子的配键类型。通过实验将掌握古埃法测定磁化率的实验原理和技术，并了解物质的原子、分子或离子在外磁场作用下的磁化现象。
　　RHA-FD-FM-A型磁天平具有结构紧凑、性能稳定、实验方便等特点，适用于高等院校物理化学实验以及磁性测量的研究。
　　仪器主要由电磁铁、恒流电源、数字式特斯拉计等组成，应用该仪器可以完成以下实验：
　　1.了解磁介质在磁场中的磁化现象。
　　2.通过对一些物质的磁化率的测定，求出未成对电子数并判断络合物ZY离子的电子结构和成键类型。
　　3.掌握古埃（ Gouy）法测定磁化率的实验原理和技术。
　　仪器主要技术参数：
　　1.磁头直径 40mm
　　2.气隙宽度 0－40mm连续可调
　　3.磁场均匀度 <1.5%
　　4.特斯拉计 量程 2T 分辨率 1mT
　　5.整机功耗 300W
　　6.励磁电流 0－10A 连续可调
北京润恒奥仪器仪表设备有限公司
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