Toptica-可调谐频率变换半导体激光器 Toptica-可调谐频率变换半导体激光器

Toptica-可调谐频率变换半导体激光器
倍频半导体
激光器(DL SHG pro)四倍频半导体
激光器(DL FHG pro)高功率倍频半导体
激光器(TA-SHG pro)高功率四倍频半导体
激光器(TA FHG pro)
概述：可调谐频率变换半导体激光器，采用非线性频率转换技术获得那些不能直接从现行激光二极管技术得到的波长，通过2次或4次谐波产生，系统提供了UV、蓝光、绿光、黄光和橙光光谱激光辐射。可调谐、单频系统覆盖205nm到780nm的所有波长，采用超稳定的种子激光器、半导体功率放大器或者光纤放大器，采用专有的bow-tie腔设计。频率转换系统包括：l  单机二次谐波产生模块
l  可调频率-倍频半导体激光器
l  可调频率-4倍频半导体激光器
1、倍频半导体激光器 ( DL SHG pro)
可调谐频率变换半导体激光器是光栅稳定的二极管激光器，SHG pro是一种功率居中的解决方案，主要用于原子，离子以及分子光谱，激光冷却，干涉仪等。该系统包含一个固态的激光头和一个19”的控制机柜。并且如果拥有合适的放大器，其便可以升级为TA SHG pro。
    应用范围:
原子激光冷却 (e.g. Na, Yb, Sr, Cr)，离子激光冷却(e.g. Ba+, Li+, Ca+, Yb+)，光泵及Rydberg激发，原子、分子及固态结构的高分辨率光谱系统
    技术参数： 
波长范围*320..650 nm
种子光DL pro, DL 100/pro design, DL DFB
倍频平台SHG pro
粗调范围2 .. 10 nm
连续扫描范围> 20 GHz
运行模式单频
线宽< 2 MHz @ 5 µs    <500 kHz with DL pro
输出功率1 .. 50 mW, wavelength dependent
空间模式近衍射极限
光隔离器已含, 60 .. 90 dB
光束整形已含
水冷不需要
控制电路DC110, 19” 双层机柜
预热时间< 5 min typ.
运行电压100..120 V/ 220..240 V AC   50..60 Hz (自动探测)
功耗< 120 W typ., 300 W max.
2、四倍频半导体激光器 (DL FHG pro)
四倍频半导体激光器DL SHG pro是一款可调谐，基于半导体技术的深紫外波段激光源. 该系统包含一个外腔式二极管激光器和两个倍频模块（SHG pro）。DL SHG pro系统可覆盖215nm-315nm，拥有出色的光束质量，长相干长度, 真正的连续运行以及稳定的结构。
    应用范围:
双光子光谱（e.g. Hydrogen）， 原子光学激光冷却和囚禁（e.g. Hg, Mg），离子激光冷却和囚禁（In+, Mg+, …），计量学（原子钟），用于半导体检测的光学测试 (e.g. Hg, Mg), ion laser cooling & trapping (In+, Mg+, …), metrology (atomic clocks), optics tests in semicon inspection
    技术参数：
波长范围*215..315 nm
种子光DL pro, DL 100/pro design, DL DFB
倍频平台两个SHG pro
粗调范围1 .. 4 nm
连续扫描范围> 30 GHz
运行模式单频
线宽< 1 MHz with DL pro
输出功率50 .. 1000 μW, wavelength dependent
空间模式近衍射极限
光隔离器已含, 60 ..0 dB
光束整形已含
水冷不需要
控制电路DC110, 19” 双层机柜
预热时间< 5 min typ.
运行电压100..120 V/ 220..240 V AC   50..60 Hz (自动探测)
功耗< 150 W typ., 600 W max.
3、高功率倍频半导体激光器(TA-SHG pro)
产品特征：l  高功率、可调谐、单频半导体激光器
l  谐振腔倍频技术
l  波长范围：320 ~ 780nm, 线宽< 500 kHz
l  基于pro technology技术高稳定性和易用性
l  新：1W @ 589nm（用于纳原子冷却）应用范围:
原子光学：激光冷却和囚禁； 玻色爱因斯坦凝聚和简并费米气体；离子激光冷却和囚禁 量子信息；计量学（频率、加速度、角动量，基本物理常数）；光谱学（原子、分子、量子点、痕量气体）；光泵浦及EIT；Rydberg激发；磁力计；激光雷达注入；干涉仪及全息.
   技术参数：   
波长范围 *
* 使用不同的倍频晶体和镜子323 .. 590 nm (使用半导体放大芯片)
520 .. 590 nm (使用光纤放大)
种子光DL pro, DL 100/pro design, DL DFB
放大器半导体放大芯片(TA pro),光纤放大(FA) 或拉曼光纤放大(RFA)
倍频系统SHG pro
粗调范围2 .. 10 nm
无跳模范围> 20 GHz
运行模式单频
线宽< 2 MHz @ 5 µs
< 500 kHz with DL pro
输出功率Z高到2W（取决与波长）
空间模式近衍射极限
光隔离器包含两个60 dB隔离器
光束整形内置
水冷不需要
控制机柜DC110, 19”双层机柜
预热时间< 5 min（典型值）
运行电压100..120 V/ 220..240 V AC
50..60 Hz（自动探测）
功耗< 150 W（典型值），300 W（Z大值）
4、高功率四倍频半导体激光器(TA FHG pro)  
高功率四倍频半导体激光器-TA SHG pro是一款可调谐，基于半导体技术的深紫外波段激光源。该系统包含一个外腔式二极管激光器，一个高功率放大芯片（TA）或光纤放大（FA），和两个倍频模块（SHG pro）平台。TA SHG pro系统可覆盖205~390nm，拥有出色的光束质量， 长相干长度，真正的连续运行以及稳定的结构。      应用范围:
双光子光谱（e.g. Hydrogen），原子光学激光冷却及囚禁（e.g. Hg, Mg），离子激光冷却及囚禁（In+, Mg+, …），计量学（原子钟），用于半导体检测的光学测试
   技术参数：
波长范围*205 .. 317 nm (使用半导体放大芯片)
260 .. 390 nm (使用光纤放大)
种子光DL pro, DL 100/pro design, DL DFB
放大器半导体放大器TA pro或光纤放大器
倍频平台两个SHG pro
粗调范围1 .. 4 nm
连续扫描范围> 40 GHz
运行模式单频
线宽< 1 MHz with DL pro
输出功率Up to 100 mW, wavelength dependent
空间模式近衍射极限
光隔离器已含, 2个60 dB
光束整形已含
水冷不需要
控制电路DC110, 19” 双层机柜
预热时间< 5 min typ.
运行电压100..120 V/ 220..240 V AC  50..60 Hz (自动探测)
功耗< 150 W typ., 600 W max.