FESTO传感器@费斯托传感器原理 FESTO传感器@费斯托传感器原理

FESTO传感器SDE3-V1D-B-HQ4-2P-M8
产品介绍
FESTO费斯托压力传感器中主要使用的压电材料包括有石英、酒石酸钾钠和磷酸二氢胺。其中石英（二氧化硅）是一种天然晶体，压电效应就是在这种晶体中发现的，在一定的温度范围之内，压电性质一直存在，但温度超过这个范围之后，压电性质完全消失（这个高温就是所谓的“居里点”）。由于随着应力的变化电场变化微小（也就说压电系数比较低），所以石英逐渐被其他的压电晶体所替代。而酒石酸钾钠具有很大的压电灵敏度和压电系数，但是它只能在室温和湿度比较低的环境下才能够应用
FESTO传感器SDE3-V1D-B-HQ4-2P-M8
产品型号
SME-8M-DS-24V-K-5,0-OE
SMT-8M-PO-24V-K-7,5-OE
SMT-8M-PS-24V-K-2,5-OE
SME-8M-ZS-24V-K-2.5-OE
SME-8M-ZS-24V-K-2.5-OE
SMT-8M-PS-24V-K-0，3-M8D
SME-8M-DS-24V-K-5,0-OE
SME-8-FM-ZS-24V-K-1,0-0E
SME-8M-DS-24V-K-7,5-OE
SME-8M-DS-24V-K-0,3-M5D
行程开关 SME-2-LED-24
SME-8-FM-DS-24V-K-1,0-OE
电感式行程开关 SME-1-S9
SMT-8M-PS-24V-K-5,0-OE
行程开关 SMEO-2
行程开关 SMEO-2-LED-24
舌簧式行程开关 SME-3-LED-24
SMTS0-8E-PS-M12-LED-24
行程开关 SMEO-4-K-LED-230
行程开关 SMTSO-1-PS-S-LED-24
舌簧式行程开关 SMEO-1-B
舌簧式行程开关 SMEO-1-LED-24-B
电感式行程开关 SMTO-4-PS-K-LED-24
电感式行程开关 SMTO-4-NS-K-LED-24
电感式行程开关 SMT-3-PS-KL-LED-24
电感式行程开关 SMT-3-NS-KL-LED-24
气动行程开关 SMPO-1-H-B
电感式行程开关 SMT-3-PS-KQ-LED-24
电感式行程开关 SMT-3-NS-KQ-LED-24
舌簧式行程开关 SMEO-4U-K-LED-24
舌簧式行程开关 SMEO-4U-K-LED-230
舌簧式行程开关 SMEO-1-S-24-B
舌簧式行程开关 SMEO-1-S-LED-24-B
行程开关 SMEO-4-S-LED-24-B
行程开关 SME-1-S-24-B
行程开关 SME-1-S-LED-24-B
舌簧式行程开关 SME-3-SL-LED-24-B
舌簧式行程开关 SME-3-SQ-LED-24-B
舌簧式行程开关SME-8-K-LED-24
舌簧式行程开关 SME-8-S-LED-24
电感式行程开关 SMTO-4-NS-S-LED-24-B
电感式行程开关 SMTO-4-PS-S-LED-24-B
电感式行程开关 SMT-8-NS-K-LED-24
电感式行程开关 SMT-8-NS-S-LED-24
电感式行程开关 SMT-8-PS-K-LED-24
电感式行程开关 SMT-8-PS-S-LED-24
电感式行程开关 SMT-3-NS-SL-LED-24-B
电感式行程开关 SMT-3-NS-SQ-LED-24-B
电感式行程开关 SMT-3-PS-SL-LED-24-B
电感式行程开关 SMT-3-PS-SQ-LED-24-B
舌簧式行程开关 SMEO-4U-S-LED-24-B
行程开关 SME-1-B
行程开关 SME-1-LED-24-B
行程开关 SME-1-S6-C
舌簧式行程开关 SMEO-1-LED-230-B
舌簧式行程开关 SMEO-1-LED-24-K5-B
舌簧式行程开关 SMEO-1-S6-C
电感式行程开关 SMTO-1-PS-K-LED-24-C
电感式行程开关 SMTO-1-NS-K-LED-24-C
电感式行程开关 SMTO-1-PS-S-LED-24-C
电感式行程开关 SMTO-1-NS-S-LED-24-C
电感式行程开关 SMTO-4U-PS-S-LED-24
电感式行程开关 SMTO-4U-NS-S-LED-24
舌簧式行程开关 SME-8-K-LED-230
电感式行程开关 SMTO-4U-PS-K-LED-24
电感式行程开关 SMTO-4U-NS-K-LED-24
舌簧式行程开关 SME-8-O-K-LED-24
FESTO传感器SDE3-V1D-B-HQ4-2P-M8
产品详细说明
德国FESTO压力传感器的压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。
FESTO传感器SDE3-V1D-B-HQ4-2P-M8
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