ZEM-5热电性能分析系统
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| 技术特点:
| · 适用于研究开发各种热电材料和薄膜材料,提高测量精度
| · 温度检测采用C型热电偶,适合测量Si系列热电材料(SiGe, MgSi等) *HT型
| · 真正可测基板上的纳米级薄膜(TF型)
| · Z大可测10MΩ高电阻材料
| · 标准搭载欧姆接触自我诊断程序并输出V/I图表
| · 基于日本工业标准JIS (热电能JIS 电阻率JIS R 1650-2)
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| | ZEM-5HT
| | ZEM-5HR
| | ZEM-5LT
| | ZEM-5TF
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特 点
| | 高温型
| | 高电阻型
| Z大电阻:10MΩ
| | 低中温型
| | 薄膜型
| 可测在基板上形成的热电薄膜
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温度范围
| | RT-1200℃
| | RT-800℃
| | -150℃-200℃
| | RT-500℃
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样品尺寸
| | 直径或正方形:2 to 4 mm2 ;
| 长度3 ~ 15mm
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成膜基板:宽2-4mm,厚0.4-12mm,长20mm
薄膜厚度:≥nm量级
薄膜样品与基板要求绝缘
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控温精度
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±0.5K
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测量精度
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塞贝克系数:<±7%; 电阻系数:<±7%
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测量原理
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塞贝克系数:静态直流电; 电阻系数:四端法
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测量范围
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塞贝克系数:0.5μV/K_25V/K; 电阻系数:0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ
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分辨率
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塞贝克系数:10nV/K; 电阻系数:10nOhm
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气 氛
| | 减压He
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