QS-D称重传感器 英国OAP QS-D称重传感器

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半导体压力传感器的比例因子G高达200，G越高，灵敏度越高。

图2-6所示为半导体压力传感器结构。当硅膜片受压时，扩散电阻值发生变化，将R1、R2、R3、R4接成桥路，如图2-7所示。

图2-6 半导体压力传感器结构 图2-7 压力传感器输入输出桥

图2-8为半导体压力传感器的压电传输特性，可以看出输出电压随压力的变化而变化，且线性度较好。

图2-8 压电传输特性

用来检测压力的传感器还有静电容式压力传感器和硅振动式压力传感器。静电容式压力传感器是将压力膜微小的位置变化转换成静电容变化的传感器。硅振动式压力传感器是用微加工方法将膜片加工成长50µm、宽20µm～30µm、厚5µm的硅振子

膜片，当膜片受到压力时，则把压力转换为张力，使膜片产生振动。但为使振子不直接与测量膜片接触，防止振子的污染和劣化，而将其全部封在真空室内，故硅振动式压力传感器的工作条件要求极高，在这里就不详述了。

3．声传感器

入侵事件发生时，总会有说话、走动、击碎玻璃、锯钢筋等声音发生，能够把这些声音信号转换成一定电量的传感器都称为声传感器。

声音为一种机械波，声音的传播是机械波在媒质中传播的过程。当声波频率在20Hz～20kHz时人耳能接收到，称为可闻声波。当频率低于20Hz时称为次声波，高于20kHz时称为超声波，次声波和超声波人耳均听不到。

其它型号种类

JXH-4接线盒 DEF-150Kg

JXH-8接线盒 DEF-200Kg

JXHG03-4S接线盒 DEF-250Kg

KM02H 变送器 DEF-300Kg

NHS-ASS-10T DEF-500Kg

AMI-250KG DEF-750Kg

ZSKB-A-5t DEF-1T

hm14c-c3-50t-13b6 B8Q-C3-2000kg-3B

H8C-C3-2.0T-4B1 B9C-C3-5K-9B

H8C-C3-1t-4B B9C-C3-10K-9B

H8C-C3-1.5t-4B B9C-C3-15K-9B

H8C-C3-2.0T-4B1 B9C-C3-20K-9B

BM11-C3-20KG-3B-SC B9C-C3-30K-9B

NA5-60Kg NA23-5Kg

NA5-100Kg NA23-6Kg

NA5-200Kg NA23-10Kg

NA5-250Kg NA23-15Kg

NA5-300Kg NA23-20Kg

NA5-500Kg NA23-30Kg

NA5-800Kg NA23-35Kg

NA23-40Kg

ZSKB-A-15t DEF-1.5T

ZSKB-A-20t DEF-2T

英国OAP QS-D称重传感器相关信息

驻极体是一种*性带电的介电材料，它能把声能或机械能转换成电能，或者将电能转换成机械能或声能。

驻极体传感器的核心是驻极体箔。它由一张绝缘薄膜组成，薄膜上带电荷，通常由聚四氟乙烯等碳卤聚合物制成，具有极高的绝缘电阻。通过外电场对绝缘薄膜两侧充电，则膜上的电荷能长时间保存。若在常温和相对干燥的环境下保存，聚四氟乙烯上的电荷能保存近百年；在常温和相对湿度为95%的潮湿环境下，电荷的衰减时间也能达到近10年。

通常把一片驻极体膜紧贴在一块金属板上，另一片驻极体膜相对安放，中间为10µm的薄空气层，构成一个驻极体传感器。二片相对而立的驻极体膜形成一个电容器，根据静电感应原理，与驻极体相对应的金属板上会感应出大小相等、方向相反的电荷。驻极体上的电极在空隙中形成静电场，在声波作用下，驻极体箔会有一个位移d。在驻极体膜开路的条件下，膜片两端感应的静电场

PST-20Kg DBSL-3T MP58T/2268KgC3MR

ZSKB-A-25t DEF-3T

QS-30t DEF-5T

QSB-A-10T DEF-7.5T

ZSF-40T DEGB-50kg

DEGB-100kg

BM11-C4-20kg-3B-SC B9C-C3-40K-9B

BM11-C3-100KG-3G6-SC B9C-C3-50K-9B

BM11-C4-100kg-3B-SC B9C-C3-60K-9B

HM11-C3-100kg-3B6-SC B9C-C3-75K-9B

HM11-C3-100KG-3B-C B9C-C3-90K-9B

H3-C3-25kg-3B B9C-C3-100K-9B

H3-C3-100kg-3B B9C-C3-150K-9B

H3-C3-150kg-3B B9C-C3-200K-9B

NA27-0.6Kg NB3-3T

NA27-1Kg NB3-5T

NA27-2Kg NB3-7.5T

NA27-3Kg NB4-10T

NA27-5Kg NB5-0.5T

NA27-6Kg NB5-1T

SQB-100Kg QS-5TILEB-1t

BM14C-C3-0.5t-15B H6E3-C3-75Kg-2B

BM14C-C3-1t-15B H6E3-C3-100Kg-2B

BM14C-C3-2t-15B H6E3-C3-150Kg-2B

BM14C-C3-3t-15B H6E3-C3-200Kg-2B

BM14C-C3-5t-15B H6E3-C3-250Kg-2B

PE-7Q-100KG PE-7-30KG

PE-8-200KG PE-7-40KG

GX-1-1500kg   PE-7-200KG

BM14C-C3-10t-15B H6E3-C3-300Kg-2B

极体箔的相对位移d与所加声强成正比，因此传感器输出的电压仅与声强有关，而与频率无关。驻极体传感器能保证在声频范围内具有恒定的灵敏度，这是极大的优点。

(2) 磁电传感器

磁电式传感器俗称“动圈式传感器”，它是由一个固定磁场和在这磁场中可作垂直轴向运动的线圈组成，线圈安装在一个振动膜上，振动膜在声强的作用下运动，带动线圈在固定的磁场中作切割磁力线的运动，此时在线圈两端的感应电动势E的大小为：

E=BLv，式中，B——磁感应强度L——线圈的长度v——线圈的运动速度

线圈的运动速度v与声强的大小有关，故而线圈的输出电压也取决于声强的大小。

光电传感器是指能够将可见光转换成某种电量的传感器。光敏二极管是常见的光传感器。光敏二极管的外型与一般二极管一样，只是它的管壳上开有一个嵌着玻璃的窗口，以便于光线射入，为增加受光面积，PN结的面积做得较大，光敏二极管工作在反向偏置的工作状态

下，并与负载电阻相串联，当无光照时，它与普通二极管一样，反向电流很小（＜µA），称为光敏二极管的暗电流；当有光照时，载流子被激发，产生电子-空穴，称为光电载流子。在外电场的作用下，光电载流子参于导电，形成比暗电流大得多的反向电流，该反向电流称为光电流。光电流的大小与光照强度成正比，于是在负载电阻上就能得到随光照强度变化而变化的电信号。SQB-150Kg QS-10T

SQB-200Kg QS-15T

SQB-250Kg QS-20T

SQB-300Kg QS-25T

SQB-500Kg QS-30T

SQB-750Kg QS-40T

SQB-1t QS-50T

SQB-1.5t QS-D-5T数字称重传感器

H3-C3-200kg-3B B9C-C3-250K-9B

H3-C3-300kg-3B BM3-C3-50Kg-6B

H3-C3-500kg-3b BM3-C3-100Kg-6B

H3-C3-1T-6B BM3-C3-150Kg-6B

H3-C3-2.5T-6B BM3-C3-200Kg-6B

H8-C3-30t-12B6 BM3-C3-250Kg-6B

HM8-C3-1.0T-4B7-A BM3-C3-500Kg-6B

NA27-10Kg NB5-2T

NA51-30Kg NB5-2.5T

NA51-35Kg NB5-3T

NA115-50Kg NQ1-50Kg

NA115-100Kg NQ1-100Kg

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