QS称重传感器 英国OAP QS称重传感器

英国OAP QS称重传感器【广州洋奕】；质量认证，企业化的通行证，也是企业管理的起点。

压力垫也可以作为开关报警探测器的一种传感器。压力垫通常放在防范区域的地毯下面，如图2-4所示。将两长条形金属带平行相对地分别放在地毯背面和地板之间，两条金属带之间有几个位置使用绝缘材料支撑，使两条金属带互不接触，此时相当与传感器开关断开，当入侵者进入防范区域时，踩踏地毯而使相应部位受力凹陷，两条金属带接触，此时相当于传感器开关闭合而发出报警信号。

图2-4 压力垫使用示意图

2．压力传感器

压力传感器把传感器上受到的压力变化转换为相应的电量变化，经过放大成为电信号。某些晶体材料，当某方向受到外力作用时，其内部就会产生极化现象，在某方向两个表面上产生正负电荷，当作用力改变时，电荷的大小和极性随之改变，晶体所产生的电荷量大小和极性随之改变，晶体所产生的电荷量大小与外力的大小成正比，这种现象称正压电效应。反之某些晶体加一交变电场，晶体将产生机械变形，这种现象称逆压电效应。图2-5为压电效应原理示意图。

其它型号种类

L6E-C3D-100KG-2B B6F-C3-2t-3B6

L6E-C3D-300KG-2B B6G-C3-100kg-3G6

L6F-C3D-50kg-3G B6G-C3-150kg-3G6

L6F-C3D-500kg-3G B6G-C3-200kg-3G6

BTB-10T HSX-A-40Kg

SB-A-1T HSX-A-50Kg

SB-A-2T HSX-A-75Kg

SB-A-7.5T HSX-A-100Kg

SQB-500KG HSX-A-150Kg

SQB-1T HSX-A-200Kg

SQB-1.5T HSX-A-250Kg

SQB-2.5T HSX-A-300Kg

SQB-3T HSX-A-500Kg

NA2-200Kg NA10-120Kg

NA2-250Kg NA12-0.3Kg

NA2-300Kg NA12-0.5Kg

NA2-350Kg NA12-0.6Kg

NA2-500Kg NA12-0.75Kg

NA3-50Kg NA12-1Kg

L6F-C3-200KG B6G-C3-250kg-3G6

L6F-C3-250KG B6G-C3-300kg-3G6

L6G-C3-50KG B6G-C3-500kg-3G6

L6G-C3-50KG-3G6 B6G-C3-600kg-3G6

英国OAP QS称重传感器相关信息

具有压电效应的晶体材料我们称之为压电材料。压力传感器就是利用压电材料的正压电效应制成。

现在常用的压电材料是人工合成的。天然的压电单晶也有，但效率低，利用难度较大，用的较少，只有在高温或低温等特殊状态下，才利用单晶石英晶体。

压电陶瓷是人工烧结的一种常用多晶压电材料，压电陶瓷烧结方便，容易成形，强度高，而且压/电转换的系数大，为天然单晶石英晶体的几十倍，而制造成本只有石英单晶的百分之

一，因此压电陶瓷广泛被用做GX压力传感器材料。

常用的压电陶瓷材料有钛酸钡、铌镁酸铅，铅钛酸铅等。

压电陶瓷材料烧结后，初并不具有压力特性。这种陶瓷材料内部有许多无序排列的“电畴”，这些“电畴”在一定外界温度下，接受一强化电场的作用，使其按外电场的方向整齐排列，这就是极化过程。极化后的陶瓷材料在撤去外电场后，其内部电畴的排列不变，具有很强的极化排列，这时陶瓷材料才具有压电性。

压电陶瓷材料通常做成长方体。当某一方向上的对应两面受到外力作用时，在压电陶瓷的这两面上就会出现电荷堆积，电量的大小与受力的大小成正比。此时压电陶瓷相当于一个静电发生器，或是一个以压电材料为介质的电容器，电容量的大小为

HSX-A-150KG HSX-SS-250Kg

HSX-SS-20KG HSX-SS-300Kg

HSX-SS-50KG HSX-SS-500Kg

HSX-SS-75KG PST-20Kg

HSX-SS-500KG PST-30Kg

L6G-C3-250KG-3B6 B6N-C3-20Kg-1B

L6G-C3-600KG-3B6 B6N-C3-30Kg-1B

B3G-C3-50kg-6B B6N-C3-50Kg-1B

B3G-C3-500kg-6B B6N-C3-75Kg-1B

B3G-C3-1T-6B B6N-C3-100Kg-1B

B3G-C3-1.0t-6B B6N-C3-150Kg-1B

HM9B-C3-25t-12B B6N-C3-200Kg-1B

NA3-750Kg NA19-500Kg

NA3-800Kg NA22-3Kg

NA3-1T NA22-5Kg

NA3-1.2T NA22-6Kg

NA4-60Kg NA22-10Kg

NA4-100Kg NA22-15Kg

HSX-ASS-100KG PST-50Kg

PST-50KG PST-75Kg

而电容两端的开路电压U=Q/C，Q为极板上电荷量的大小，与所受外力成正比，一般电量Q很小，因此感应出的U也很小。为了能检测出U的变化，要求压电陶瓷本身有相应的阻抗，同时前端放大器也应有极高的输入阻抗，通常探测器的前端放大器用场效应管来担当。由于输入阻抗过高，很容易窜入干扰信号，为此前端放大器应直接接在传感器的输出端，信号经放大后输出一个高电平 、低阻抗的探测电信号。

有机压电材料是新近研究开发出来的新型压电材料，如聚氯乙烯、聚二氟乙烯等，它具有柔软、不易破碎的特点。

半导体压力传感器是利用硅结晶的压电电阻效应以及二极管、晶体管的电流、电压特性制成的元件。当硅半导体材料受到外力作用时，晶体处于扭曲状态，由于载流子迁移率的变化而导致晶体阻抗变化的现象称之为压电电阻效应。用ΔR表示晶体阻抗的变化,它的变化率为： ΔR/R = （Δρ/ρ）•η•ζ=G•ζ

PST-75KG PST-100Kg

PST-100KG PST-150Kg

PST-150KG PST-200Kg

PST-200KG PST-250Kg

PST-700KG PST-300Kg

PST-1000KG PST-500Kg

DEE-100KG PST-700Kg

HM9B-C3-30T-12B3 B8D-C3-250kg-6B-SC

HM9B-C3-30T-16B3 B8D-C3-0.5t-6B-SC

HM9B-C3-25T-16B-CR1-1C B8D-C3-1t-6B-SC

HM9B-C3-30T-16B-CR1-1C B8D-C3-2t-6B-SC

HM9B-C3-30T-16B3-R1-A B8D-C3-5t-6B-SC

hm14c-c3-10t-13b6 B8Q-C3-200kg-3B

hm14c-c3-25t-13b6 B8Q-C3-500kg-3B

hm14c-c3-30t-13b6 B8Q-C3-1000kg-3B

NA4-200Kg NA22-20Kg

NA4-250Kg NA22-30Kg

NA4-300Kg NA22-35Kg

NA4-500Kg NA22-40Kg

NA4-800Kg NA23-3Kg

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