高性能硅蓝宝石压力传感器
| 产品名称: | HI2000 型高性能硅蓝宝石压力传感器 | 产品系列: | SOS钛硅蓝宝石压力变送器 |
| 精度: | ±0.25 | 防爆: | 无 |
| 温度值: | -50.0~200.0(℃) | 压力值: | -1.0~1500.0(bar) |
| 输出值: | 0-10mV 0-10V 0-5V 4-20mA | 输入信息: | 压 力 范 围 ： -1-0 bar 至 0-1000bar 压力基准：表压 |
| 输出信息: | 零点偏置：1mV/V 满量程容限：±30%FS 0-5Vdc、0-10Vdc (4 线带变 送) 零点偏置与满量程设置± 0.2%FS0 | 零点/满量程调节: | |
| 供电: | 0-10mV/V 5-15Vdc 0-5 和0-10Vdc 13-30Vdc | 供电保护: | 50Vdc 内反接线保护 |
| 压力信息: | 不与钛合金反应的流体 | 电磁兼容: | Emissions EN61000-6-4 Immunity EN61000-6-2 |
| 重量: | 85 克 | 电气连接: | HI200×直出线7/0.16mm HI210×MIL-C-26482 六针 接头 |
| 压力范围: | |||
| 负1-0bar | 0-0.5bar | 0-1bar | 0-1.6bar |
| 0-2.5bar | 0-4bar | 0-6bar | 0-10bar |
| 0-16bar | 0-25bar | 0-40bar | 0-60bar |
| 0-100bar | 0-160bar | 0-250bar | 0-400bar |
| 0-600bar | 0-1000bar | 0-1500bar | |
主要是采用SOS 制造工艺，它具有很高 的精度，同类产品不是性能不佳就是价格过高。 该产品的硅应变化片电阻器是外延地生长在蓝宝石膜片表面的，并成为一种 辐射状硬化结构。这种结构除无滞后效应及其它优良性能外，还可以防护来自脉 冲电磁场对应变得感应。 敏感元件结构采用 BT9 钛合金压力孔和膜片完整和蓝宝石膜片配合在一起。 因此这种钛蓝宝石结构的敏感元件能在高温及低温条件下都能保持其稳定性。 典型的应用实例如：高温条件下喷气式发动机或其他机械的运行试验、过程 监视、油压或气体压检测、水下探测，军事或其他高温领域或温度变化条件下 压力精确数据的测量。
| 尺寸/接线图 |
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