正电子寿命谱测量 正电子寿命谱测量系统

正电子寿命测量法用于半导体材料中空位型缺陷的测量。这是一种带有测量装置和电源的全寿命正电子寿命测量系统。在寿命（时间）测量系统中，时间是用3GS/s采集卡来测量的，进来信号是由两BaF2的闪烁体产生的高速脉冲信号。在符合多普勒展宽的情况下，用两个锗半导体探测器符合的波高值制成二维直方图。此外，这些设备可以用来测AMOC，这个寿命和动量相关。

Feature

●功能： Lifetime、CDB和AMOC

●ADC： 时间：2CH 3GSPS 8bit

CDB ：2CH 100MSPS 14bit

●时间分辨： FWHM（半高宽） 192ps （511keV@22Na, BaF2 闪烁体） FWHM（半高宽） 160 – 190 ps (Silica)

●能量分辨： 1.23keV（512keV@106Ru） 1.69keV(1.33MeV@60Co)

●PMT高压 ： 2CH, -4000V 对于Ge(锗)半导体： 2CH, +5000V ※包括前放

●接口： Ethernet （TCP/IP）

●附件包括应用指导手册