WL15VWI 多测试系统SHIBASOKU芝测WL15VWI高耐压泄漏测试

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WL15VWI

四个同时测定GBT, MOSFET, SBD, FRD, IPM, IPD, Chip

2000 V / 30 A

四个同时测量方法例

+ 2000 V±20毫安

±128 V±5 A

±60 V±30 A

±64 V±160毫安

zui大32个同时测量可能

高真空度而言，高温低温开始到业界zui高水平，5 kv高耐压泄漏试验。

次世代ー半导体材料的SiC /氮化镓也对应

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深圳市井泽贸易有限公司

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