YB6200 半导体测试仪_详细资料

产品信息 一、系统主要指标如下： 一、主极参数 1、主极电压： 100mV---2000V 2、电压分辨率：100mV 3、电压精度：1%+100mV 4、主极电流：100nA---50A 加选件YB550向下可扩展到20pA， 加选件YB580-X向上可扩展到：500A ，1000A，1250A。 5、电流分辨率：100nA 加选件YB550分辨率为10NA 6、电流精度：1%+10nA+20pA/V 二、控制极参数 1、控制极电压：100mV---20V 加选件可扩展到80V 2、电压分辨率：1mV 3、电压精度：1%+10mV 4、控制极电流：100nA---10A 加选件可扩展到40A 5、电流分辨率：1nA 加选件YB550分辨率为1pA 6、电流精度：1%+10nA+20pA/V 二、测试种类 一、二极管DIODE 参数名称 电压范围 电流范围 分辨率 精度 I_R 0.10Vto999V（2kV）^（1） 100nA（100pA）^（2） to50mA 1nA（50pA）^（2） 1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2） B_VR 0.10Vto999V（2kV）^（1） 100nAto50mA 5mV 1%+100mV V_F 0.10V to 5.00V to 9.99V I_F: 10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） 5mV 1%+10mV I_F:1%+ 100nA 二、晶体管 TRANSISTOR 参数名称 电压范围 电流范围 分辨率 精度 I_CBO I_CEO/R/S/X I_EBO 0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（ 80V）^（3） 100nA（100pA）^（2） to50mA 100nA（100pA）^（2） to3A 1nA（50pA）^（2） 1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（1） BV_CEO/R/E/S （10mA以上使用300us 脉冲） BV_CBO BV_EBO 0.10Vto450V（900V）^（1） to700V（1.4kV）^（1） to800V（1.6kV）^（1） 0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3） 100nAto200mA to100mA to50mA 100nAto50mA 100nAto3A 5mV 1%+100mV 1%+10mV H_FE （1to99,999） V_CE: 0.10V to5.00V^（5） to9.99V to49.9V I_C: 10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） to3A I_B:100nAto10A 0.01hFE V_CE: 1%+10mV I_C: 1%+100nA I_B: 1%+5nA V_CESAT, V_BESAT V_BE（V_BEON） V_CE:0.10Vto5.00V to9.99V V_BE:0.10Vto9.99V I_E:10uA to 49.9A（250A）^（4） to 25A （125A）^（4） I_B:100nAto10A 5mV V: 1%+10mV IE:1%+100nA IB:1%+5nA 三、稳压（齐纳）二极管ZENER 参数名称 电压范围 电流范围 分辨率 精度 I_R 0.10Vto999V（2kV）^（1） 100nA（100pA）^（2） to 50mA 1nA（50pA）^（2） 1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2） B_VZ, V_{Z MIN}, V_{Z MAX} ZZ 0.10Vto50V to700V to999V（kV）^（1） 100nA（100pA）^（2） to3A to100mA to50mA 5mV 1%+10mV V_F V_F：0.10Vto5.00V to9.99V I_F: 10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） 5mV V: 1%+10mV IF: 1%+ 100nA 四、结型场效应管J-FET 参数名称 电压范围 电流范围 分辨率 精度 I_GSS I_DOFF.I_DGO 0.10Vto20V（80V）^（3） 0.10Vto999V（2kV）^（1） 100nA（100pA）^（2）to3A 100nA（100pA）^（2） to50mA 1nA（50pA）^（2） 1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2） BV_DGO BV_GSS 0.10V to 999V（2kV） ^（1） 0.10Vto20V（80V） ^（3） 100nAto50 mA 100nAto3A 5mV 1%+100mV 1%+10mV V_DSON,V_GSON I_DSS, I_DSON R_DSON（_混合参数_） G_{FS （}_混合参数_） 0.10Vto5.00V to9.99V I_D:10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） I_G: 100nAto10A 5mV V: 1%+10mV I_D: 1%+ 100nA I_G: 1%+ 5nA V_GSOFF 0.10Vto20V（80V）^（³^） I_D:100nA（100pA）^（2） to3A V_DS:0.10V to 50V 5mV 1%+10mV 五、MOS场效应管 MOS-FET 参数名称 电压范围 电流范围 分辨率 精度 I_DSSV_IGSSFI_GSSR V_GSFV_GSR 0.10Vto999V（kV）^（1） 0.10V to20V（80V）^（3） 100nA（100pA）^（2） to50mA 100nA（100pA）^（2） to3A 1nA（50pA）^（2） 1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2） B_VDSS 0.10Vto999V（2kV）^（1） 100nAto50mA 5mV 1%+100mV V_GSTH 0.10Vto49.9V I_D:100uAto3A 5mV 1%+ 10mV V_DSONVF_（VSD） I_DONV_GSON G_FS（_混合参数_） R_DSON（_混合参数_） V_DV_F: 0.10V to5.00V to9.99V V_GS:0.10Vto9.99V I_F.I_D:10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） I_G:100nAto10A 5mV V:1%+10mV I_F.I_D:1%+100nA I_G:1%+5nA 六、三端电源稳压器件REGULATOR 测试参数名称 电压范围 电流范围 分辨率 精度 Vo Input / Output Regulation （混合参数） V_O:0.10Vto0V（50V）^（3） V_IN:0.10Vto49.9V 负载：电阻或电流型 I_O:1mA - 5A 1mV 1%+10 mV I_IN V_IN:0.10Vto20V（50V）^（3） 负载：RGK 1kΩ、10kΩ 外接，开路，短路 I_IN:1mA - 3A 10nA 1%+5nA 七、光电耦合器 OPTO-COUPLER 电参数名称 电压范围 电流范围 分辨率 精度 I_COFF、I_CBO I_R 0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3） 100nA（100pA）^（2） to50mA 100nAto3A 1nA（50pA）^（2） 1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2） BV_CEO, BV_ECO BV_CBO BV_EBO 0.10Vto450V（900V）^（1） to700V（1.4kV）^（1） to800V（1600kV）^（1） 0.10Vto999V（2k0V）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3） 100μAto200mA to100mA to50mA 100nAto50 mA 100nAto3A 5mV 1%+100mV 1%+10mV C_TR （0.01to99,999） H_FE （1to99,999） V_F （Opto-Diode） V_CESATV_SAT V_CE: 0.10Vto5.00V^（5） to9.99V to49.9V V_F:0.10Vto9.99V I_C:10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） to3A I_FI_B:100nAto10A 0.0001C_TR 0.01H_FE 5mV V: 1%+10mV I_C: 1%+100nA I_F, I_B: 1%+5nA 八、单向可控硅整流器SCR 参数名称 电压范围 电流范围 分辨率 精度 I_DRMI_RRM I_GKO 0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3） 100nA（100pA）^（2）to50mA 100nA（100pA）^（2）to3A 1nA（50pA）^（2） 1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2） V_DRMV_RRM BV_GKO 0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3） 100nAto50mA 100nA to 3A 5mV 1%+100mV 1%+ 10mV V_TM 0.10Vto5.00V to 9.99V 10μAto49.9A（250A）^（4） to25.0A（125A）^（4） 5 mV V_T: 1%+10mV I_T: 1%+100nA I _GT V_GT V_D:5Vto49.9V V_GT:0.10Vto20V（80V）^（3） VT:100mVto49.9V I_GT:100nAto3A R_L: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT 5 mV 10nA 1%+10mV 1%+ 5nA I_L V_D:5Vto49.9V I_L:100μAto3A I_GT:100nAto3A R_L:12Ω,30Ω,100Ω,EXT nA nA I_H V_D:5Vto49.9V I_H:10uAto1.5A I_GT:100nAto3A R_L:12Ω\30Ω\100Ω\EXT （IAK初值由 RL设置） 1uA 1%+2μA 九、绝缘栅晶体管IGBT 电参数名称 电压范围 电流范围 分辨率 精度 I_CES I_GESF I_GESR 0.10Vto999V（2000V）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3） 100nA（100pA）^（2）to50mA 100nA（100pA）^（2）to3A 1nA（50pA）^（2） 1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2） BV_CES 0.1Vto450V（900V）^（1） to700V（1400V）^（1） to800V（1600V）^（1） 100μAto200mA to100mA to50mA 5mV 1%＋100mV V_GETH 0.10Vto20.0V（80V）^（3） 100nAto3A 5mV 1%+10mV V_CESAT I_CON V_GEON V_F G_FS（_混合参数_） V_CE: 0.10Vto5.00V to9.99V V_GEV_F: 0.10Vto9.99V I_C:10μAto49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） I_GEI_F: 100nAto10A 5mV V: 1%+10mV I_C I_F: 1%+100nA I_GE: 1%+5nA 十、双向可控硅TRIAC 参数名称 电压范围 电流范围 分辨率 精度 I_DRMI_RRM I_GKO 0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3） 100nA（100pA）^（2）to50mA 100nA（100pA）^（2）to 3A 1nA（50pA）^（2） 1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2） V_DRMV_RRM BV_GKO 0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3） 100nAto50mA 100nAto3A 5mV 1%+100mV 1%+ 10mV V_TM 0.10Vto5.00V to9.99V 10μAto49.9A（400A）^（4） to25.0A（200A）^（4） 5 mV VT: 1%+10mV IT:1%+100nA I_GT V_GT V_D:5Vto49.9V V_GT:0.10Vto20V（80V）^（3） V_T:100mVto49.9V I_GT:100nAto3A R_L: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT 5 mV 10nA 1%+10mV 1%+ 5nA I_L V_D:5Vto49.9V I_L:100μAto3A I_GT:100nAto3A R_L:12Ω\30Ω\100Ω\EXT N/A N/A I_H V_D:5Vto49.9V I_H:10uAto1.5A I_GT: 100nA to 3A R_L: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT （IAK初值由 RL设置） 1uA 1%+2μA 十一、达林顿阵列DARLINTON 电参数名称 电压范围 电流范围 分辨率 精度 I_CBO I_CEO/R/S/X I_EBO 0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（ 80V）^（3） 100nA（100pA）^（2）to50mA 100nA（100pA）^（2）to3A 1nA（50pA）^（2） 1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（1） BV_CEO/R/E/S （10mA以上使用300us 脉冲） BV_CBO BV_EBO 0.10Vto450V（900V）^（1） to700V（1.4kV）^（1） to800V（1.6kV）^（1） 0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3） 100nAto200mA to100mA to50mA 100nAto50mA 100nAto3A 5mV 1%+100mV 1%+10mV H_FE （1to99,999） V_CE:0.10Vto5.00V^（5） to9.99V to49.9V I_C:10uAto49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） to3A I_B: 100nAto10A 0.01hFE V_CE: 1%+10mV I_C: 1%+100nA I_B: 1%+5nA V_CESAT,V_BESAT V_{BE（VBEON）} V_CE:0.10Vto5.00V to9.99V V_BE:0.10Vto9.99V I_E:10uAto49.9A（250A）^（4） to25A （125A）^（4） I_B: 100nAto10A 5mV V: 1%+10mV I_E:1%+100nA I_B:1%+5nA （1）需要2KV阳极/集电极选件。 （2）需要小电流测试台选件，可以提供需要的测试延迟时间为：1ms—99s。 （3）需要80V低源栅/基极选件。 （4）需要1.2KA大电流测试台选件。 （5）充许有电缆压降。 （6）表中部分器件测试需要定制专门的测试夹具。

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参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
I_R	0.10Vto999V（2kV）^（1）	100nA（100pA）^（2） to50mA	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
B_VR	0.10Vto999V（2kV）^（1）	100nAto50mA	5mV	1%+100mV
V_F	0.10V to 5.00V to 9.99V	I_F: 10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4）	5mV	1%+10mV I_F:1%+ 100nA

测试参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
Vo Input / Output Regulation （混合参数）	V_O:0.10Vto0V（50V）^（3） V_IN:0.10Vto49.9V 负载：电阻或电流型	I_O:1mA - 5A	1mV	1%+10 mV
I_IN	V_IN:0.10Vto20V（50V）^（3）负载：RGK 1kΩ、10kΩ 外接，开路，短路	I_IN:1mA - 3A	10nA	1%+5nA

电参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
I_COFF、I_CBO I_R	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nA（100pA）^（2） to50mA 100nAto3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
BV_CEO, BV_ECO BV_CBO BV_EBO	0.10Vto450V（900V）^（1） to700V（1.4kV）^（1） to800V（1600kV）^（1） 0.10Vto999V（2k0V）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100μAto200mA to100mA to50mA 100nAto50 mA 100nAto3A	5mV	1%+100mV 1%+10mV
C_TR （0.01to99,999） H_FE （1to99,999） V_F （Opto-Diode） V_CESATV_SAT	V_CE: 0.10Vto5.00V^（5） to9.99V to49.9V V_F:0.10Vto9.99V	I_C:10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） to3A I_FI_B:100nAto10A	0.0001C_TR 0.01H_FE 5mV	V: 1%+10mV I_C: 1%+100nA I_F, I_B: 1%+5nA