| 是否提供加工定制 | 否 | 品Pai | DVL |
| 型号 | TP-6阳光紫外线强度传感器 | 种类 | 光学 |
| 材料 | 氮化镓 | 材料物理性质 | 半导体 |
| 制作工艺 | 集成 | 输出信号 | 数字型 |
紫外线传感器技术规格特点：①能够感应紫外线a与b波段；②GaN材料制作；③内部视觉盲区；④光电模式；⑤优性价比；⑥灵敏度高；⑦可靠性好；⑧封装小应用：●紫外辐射强度测量仪/紫外光测量仪●紫外光监视器Z大额定值(环境温度25℃)
参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
反向电压 | VR | 30 | V |
工作温度 | Topr | -25 — +70 | ℃ |
储存温度 | Tstg | -40 — +70 | ℃ |
焊接温度 | Tsol | 260 | ℃ |
功耗（温度≤25℃） | Ps | 150 | mW |
光电特性(环境温度25℃)
参数 | 符号 | 条件 | Z小值 | ZX值 | Z大值 | 单位 |
光谱带宽变化范围 | λb | — | 290 | — | 400 | nm |
峰值灵敏度波长 | λp | — | — | 330 | — | nm |
暗输出电压 | Vdark | | — | 0 | 0.2 | mV |
灵敏度 | Vs | RL=1MΩ | 3.9 | 4.0 | 4.1 | mV/UVI |
反向击穿电压 | VBR | — | 30 | 40 | 100 | V |
正向电压 | VF | If=10mA | 2.6 | 3.0 | 3.5 | V |
总电容 | Ct | f=1MHz | — | 6 | — | pF |
上升时间 | tr | RL=1MΩ
CL=1000pF | — | 10 | — | mS |
下降时间 | tf | — | 500 | — | mS |
