Gatan MonoCL4阴极发光（CL）系统
| 品Pai：GATAN | 型号：Mono CL4 | ||
| 制造商：GATAN | 经销商：欧波同纳米技术有限公司 | ||
| 免费咨询：800-8900-558 | |||
| 优化的CL配置 | MonoCL4产品家族提供了一系列离性能的CL解决方出，单独设计，用采满足您不同的电镜需要。核心的MonoCL4产品提供: | 1.高空间分辨率和光谱解析度的全色成像和单色成像 | 2.“点击”透排光谱分析、成像及面分布等工作模式 | 3.通过可选的滤波片可进行短通（shortpass）、长通（shortpass）和带通（babdpass）成像，提高灵活性 | 4.透取不同的探侧器和衍射光栅，优化在紫外、可见和红外光等不同波长范圈内的应用 | 5.可通过电脑和/手动方式进行探测器设定 | 6.内置工厂记录的光调响应曲线 | 7.提高了在紫外和红外波段的灵敏度 | 8.UV优化选配件.使其可分析小于200nm的波长 | 9.监侧信号随时间的演变 | 10.新的设计和软件功能使光扭的交换更方便. | 同时保持光讲校准 模块化的设计结构.使今后升级或者增加额外的择侧器来扩展可分析的波长范围变得更方硬、更实惠。 | MonoCL4 Swift包含了一个额外的阵列探测器，因而具有： | ·快速讲行“并行”光迸采集，效率 | ·对于检侧电子束敏感的试样。至关重要 | MonoCL4 Plus提供了超高的灵敏度及灵活性。它包含了一个冷却的、高灵敏度的PMT和高性能的DigiScanIITM数字化电子束控制系统.实现高位的图像采集和分析。提高SEM成像性能。扩展其应用范围。 | ·多个成像及面分布输入的同时采集 | · 灵活设定的像素密度及采集时间——对于许多CL应用非常关键 | · 定量的脉冲面分布(作为标准模拟信号成像的补充) | ·线扫描分布功能 | ·具有漂移矫正的多图像叠加 | MonoCL4 Elite是Z高级CL版本，它集合了MonoCL4 Swift的高速度和MonoCL Plus的高灵敏度，利用Gatan业界领先的谱图面分布（SI）软件，把诸多先进的分析功能融于其中。 | ·使用数据后处理，能够提供带通（band-pass）图像 | ·利用参考谱对数据进行MLLS拟合，建立拟合系数面分布 | ·把高斯曲线拟合于谱图，可得到振幅、峰移和峰宽的面分布，对于半导体和陶瓷材料中合金成分变化的面分布以及应力分布的分析十分有用 | ·亚像素扫描以提高统计的置信度 | 利用样品台扫描选项，可获得更大视野 | ·可用其他信号的同时SI采集，例如，EDS和EELS | 兼容性 | 兼容常规电镜、低真空或场发射电镜、FIB/SEM双束系统和离子显微镜，并有特殊版本用于电子探针（S）TEM和UHV样品仓 | MonoCL4完全兼容Gatan全系列的液氮和液氨冷台，从而增强CL信号的强度，提高谱的甄别，便于谱的诠释——完整的解决方案。 | SmartEBIC，Gatan的定量EBIC系统也可共享MonoCL4平台 | A 多晶金刚石的变质再结晶，DrE.Vicenzi,Smithsonia Institution,Washington.D.C. | B CdZnTe材料，显示出错、亚晶边界。掺杂、合金与杂质的偏析、孪晶与堆垛层错 | C 包含内部缺陷的AlGAN金字塔结构 | D AlGAN薄膜横截面。合成图像，利用DigiScan色彩混合功能伪彩处理，温度=6K。DrU.JaHn，Paul Drude Institute，Berlin | E GaAs/AlAs/AlGaAs量子阱结构。20nm的量子阱和势垒结构能被分辨。DrC.Norman,Toshiba Research Europe Ltd。 | F GaN薄膜的截面。堆垛层错、螺位错、点缺陷和带隙发光的合成图像。温度=6K | G 氮化物的ELO结构。样品由Prof.Sawaki,Nagoya University提供，图像由Mr Yanagihara提供 | H 断裂 与愈合的石英晶体，DrR.Read,Bureau of Economic Geology, University of Texas. | I GaN的平面图，显示出螺位错好杂质偏析 | 1.推荐用于某些 SEM， | 2.两个衍射光栅可能同时安装。附加的、完全矫正的光栅是用户可交换的 | 3.取代标准 PMT | 4、可选择所需要的波长范围和/可选的探测设备 | 5.并非每台 SEM 都有，详情请咨询 | 6.同时采集功能与第三方的设备不兼容，可能需要购买第三方的软件。需要多信号采集镜 | 7.共享的硬件和软件 |
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