特色高性能电子光学系统二次电子分辨率: 顶位二次电子探测器(2.0 nm at 1kV)*高灵敏度: 高效PD-BSD, 的低加速电压性能,低至100 V成像大束流(>200 nA): 便于
特色
高性能电子光学系统
二次电子分辨率: 顶位二次电子探测器(2.0 nm at 1kV)*
高灵敏度: GXPD-BSD, 的低加速电压性能,低至100 V成像
大束流(>200 nA): 便于GX微区分析
性能优异
压力可变: 具有优异的低真空(10 -300 Pa)成像性能,配备高灵敏度低真空探测器(UVD)*
开仓室快速简单换样(样品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)
微区分析: EDS, WDS, EBSD等等
*:
选配附件
规格
项目 | 内容 | |
---|---|---|
分辨率 | 1.2 nm @ 30 kV 3.0 nm @ 1 kV 2.0 nm @ 1 kV 减速模式*1 3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2 | |
放大倍率 | 10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素) 30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素) | |
电子光学系统 | 电子枪 | ZrO /W 肖特基式电子枪 |
加速电压 | 0.5 - 30 kV (0.1 kV 步进) | |
着陆电压 | 减速模式: 0.1 - 2.0 kV *1 | |
束流 | > 200 nA | |
探测器 | 低位二次电子探测器 | |
低真空模式*2 | 真空范围: 10 - 300 Pa | |
马达台 | 马达台控制 | 5 - 轴自动 (优ZX) |
可动范围 | X:0~100mm Y:0~50mm Z:3~65mm T:-20~90° R:360° | |
样品尺寸 | 直径: 200 mm 高度: 80 mm | |
选配探测器 |
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