仪器介绍
• 为XRF制作熔融玻片样品
• 为AA和ICP制备样品溶液
真正的全自动熔样——加入样品,启动程序后不管——保证全部熔融条件都可重复!
X射线荧光分析对于粉末样品,目前采用直接压片法制备试样较为普遍,但由于粒度、矿物、偏析等效应的影响,势必带来分析误差,降低元素分析的精密度与准确度,样品制备已经成为一个主要的误差因素。玻璃熔融法制成的试样能消除试样的粒度、矿物、偏析等效应,同时也可降低样品元素间的吸收和增应,会明显提高分析的精度和准确度。对于ICP、AA和湿法化学分析手段,对于难溶样品,熔融方法同样是一种非常的制样手段。
技术参数
控温范围: 300~1600°C
(因为专利的氧气接入设计,从而确保熔融温度可达1600°C,特殊设计的燃烧头,可在高达1600以上的温度调节下操作,任何难熔样品可轻易熔融);
熔样量: 每批处理1个样品,可连续熔样,每小时Z多可处理5-7个样品;
熔样时间: 处理一批样品典型时间约为5-11分钟(如:预熔1分钟,旋转熔融8 分钟,均衡1分钟);
功能控制: 自动编程序逻辑控制器(PLC)能通过“单键”程序选择完成7项编程,可选择旋转混匀速度。
支架: 采用耐高温合金;
尺寸
高 200 mm × 深 290 mm × 宽 350 mm
电源: 110 或 240 VAC 50/60 Hz
功率: 120 Watts
气压:
丙烷: 3kPa 或 天然气: 5kPa
空气: 250 kPa (Z小)
氧气: 250 kPa (Z小),专利设计,确保熔融温度可达到1600°C。
主要特点
设计紧凑的PHOENIX – S,的性价比。
重复性: +/- 0.2% RSD
无论你是什么应用,S是一款高性价比、易操作的熔融产品:
你只需知道: Simple(简单) = Single (单个)= Sample(样品) = Solutions(解决方案)
触摸屏控制具备所有大型制样设备的功能包括清晰精确的时间设定.无需特殊程序设置技巧,只需从触摸屏调出程序即可。
灵活的程序设置
微处理器可Z多存储6个用户自定义熔融程序,每个程序都包含3个不同的步骤:熔融,漩涡熔融,浇铸和冷却。
灵活的熔融参数
通过控制器可对所有熔融参数方便地进行设置:
•熔融温度和时间
•涡流/混合速率和频率
•模具(铸造盘)预热温度和时间
•浇铸前暂停
•浇铸角度,速率和时间
•冷却延迟
•冷却时间和空气流动速率
资料下载:
产品样本
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