仪器简介:该PECVD可以升级到PECVD & 反应离子蚀刻双功能系统(带ICP源)! 该PECVD系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。可选用射频(RF
Ecopia科研用小型磁控溅射镀膜机 - 极高性价比!型号:AP-MMS1产地:韩国原装进口仪器特点:1/ 沉积材料:金属;2/ 膜厚均匀性:≤ ± 5 % (4英寸基底);3/ 沉积方式:直流磁控溅射;4/ 极限真空:1.0 x 10 -3 Torr;技术规格:1/ 样品尺寸:4英寸;2/ 基底旋转:0~10rpm;3/ 不锈钢腔体,ID250 x H300 mm;4/ 真空泵:机械泵,150L/Min;5/ 靶枪:2英寸直径 (选配:3英寸);6/ 直流电源:2KW(800V - 2.);7/ 气体传输模块:MFC控制,氩气,100sccm;
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$n高真空电阻蒸发镀膜机配两对蒸发电极,适用于实验室制备金属单质膜、有机膜、扫描电镜制样等,也可用作教学及生产线前期工艺试验等。基片台采用加热及温控系统(可选),以提高成膜质量。技术指标产品名称ZHD-300高真空电阻蒸发镀膜机镀膜方式多源蒸发镀膜真空腔室结构玻璃钟罩+不锈钢底座真空腔室尺寸Φ300mm×H360mm真空获得系统“涡轮分子泵+直联旋片泵”准无油真空机组极限真空8.0×10-5Pa蒸发电极及蒸发电源2组蒸发源,1~2KW蒸发电源;可镀膜尺寸Φ120mm报警保护系统对泵、电极等缺水,过流过压,断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施;选购件基片台加热系统、循环水机、石英晶振膜厚控制仪等;占地面积长×宽:1200×800mm总功率≤3.2KW
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$nEcopia科研用小型热蒸发镀膜机 - 极高性价比型号:AP-MTE1产地:韩国原装进口仪器特点:1/ 沉积材料:金属;2/ 膜厚均匀性:≤ ± 5 % (4英寸基底);3/ 沉积方式:热蒸发舟;4/ 极限真空:5.0 x 10 -6 Torr;技术规格:1/ 样品尺寸:4英寸;2/ 基底旋转:0~10rpm;3/ 不锈钢腔体,ID250 x H300 mm;4/ 真空泵:机械泵,150L/Min;扩散泵,215L/Sec;5/ 薄膜厚度监控:石英振荡传感器实时厚度控制;6/ 厚度精度:0.5%;7/ 热蒸发源:4英寸热蒸发舟,交流电源;
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n仪器应用:离子抛光离子清洗等离子体灰化等离子体氧化、氮化表面改性反应刻蚀生物医药传感器技术参数:1,真空系统:尺寸:72英寸X 50英寸真空泵:分子泵+机械泵本底真空:1X10E-7Torr2, 样品台:样品大小:150mm处理角度:0-180度旋转速度:0-20RPM冷却:水冷3, 离子源孔径:22厘米栅格:2个,钼材质激发:RF射频电性中和:PBN束流: 200-1000V, 0-1000mA工作气体:Ar,Xe,N2,O2,CF4,SF6,CH4,C2H6S终点监测主要特点:RF or DC 离子源, 8-22厘米Gridded Kaufman离子源单片样品传输腔GX率高产量,低能量等离子体源直径至150毫米样品表面处理<3% 非均匀性水冷,倾斜,旋转操作简便,小型设备,皮实耐用S终点监测全部电脑操作反应离子刻蚀单片样品台/三片行星式旋转样品台
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n矽碁磁控溅射系统介绍矽碁磁控溅射系统是专为实验室科学研究开发的镀膜系统,设备具备优良的稳定性、镀膜均匀性和可重复性,同时高度可定制化,满足各类实验需求。系统基本规格:腔体真空度可达10-7Torr(超高真空腔体可达10-9Torr)多磁控溅镀靶设计,可装5只溅镀枪可选用RF、DC或是Pulse DC电源供应器全自动镀膜系统,工业级操作软件基板尺寸可定制基板可实现加热(800℃)及旋转(旋转速度可调)镀膜均匀性≤±5%可调整溅镀枪角度及距离可选项可选超高真空传送机构(Load-Lock system)可选用turbo/Cryo/diffusion泵浦可增加离子源实现基板清洗可加装基本偏压(RF/DC)辅助镀膜应用范围金属氧化物制备薄膜制程研究薄膜太阳能开发材料研究
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