上海KILO蓄电池SC12-150免维护电池12V150AH型号/报价

上海KILO蓄电池SC12-150免维护电池12V150AH型号/报价

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KILO蓄电池应用领域与分类：

◆　免维护无须补液；　　　　　　　　　　● UPS不间断电源；

◆　内阻小，大电流放电性能好；　　　　　● 消防备用电源；

◆　适应温度广；　　　　　　　　　　　　● 安全防护报警系统；

◆　自放电小；　　　　　　　　　　　　　● 应急照明系统；

◆　使用寿命长；　　　　　　　　　　　　● 电力，邮电通信系统；

◆　荷电出厂，使用方便；　　　　　　　　● 电子仪器仪表；

◆　安全防爆；　　　　　　　　　　　　　● 电动工具,电动玩具；

◆　独特配方，深放电恢复性能好；　　　　● 便携式电子设备；

KILO蓄电池型号上海KILO蓄电池SC12-150免维护电池12V150AH型号/报价

型号 电压 容量 外形尺寸（mm） 总重约(KG) 

20小时率 长(L） 宽（W） (H) 总(TH) 

SC12-0.8 12V 0.8AH 96 25 62 62 0.34 

SC12-1.2 12V 1.2AH 97 43 52 58 0.57 

SC12-2.0A 12V 2.0AH 151 20 89 89 0.68 

SC12-2.0B 12V 2.0AH 143 24 65 65 0.57 

SC12-2.3A 12V 2.3AH 178 35 60 66 1.00 

SC12-2.0B 12V 2.3AH 182 24 61 61 0.70 

SC12-2.8 12V 2.8AH 132 33 98 104 1.18 

SC12-3.2 12V 3.2AH 134 67 60.5 66.5 1.35 

SC12-4.5 12V 4.H 90 70 101 107 1.60 

SC12-5.0 12V 5.0AH 151 53 93 99 1.90 

SC12-6.0 12V 6.0AH 90 70 101 107 1.80 

SC12-7.0 12V 7.0AH 151 65 94 100 2.20 

SSC12-7.2 12V 7.2AH 121 65 94 100 2.20 

SC12-10 12V 10AH 151 98 95 101 2.75 

SC12-10A 12V 10AH 121 65 111 117 3.20 

SC12-12 12V 12AH 151 98 95 101 3.26 

SC12-14 12V 14AH 151 98 95 101 3.26 

SC12-18 12V 18AH 181.5 77 167.5 167.5 5.32 

SC12-20 12V 20AH 181.5 77 167.5 167.5 5.58 

SC12-24 12V 24AH 165.5 176 125 125 8.10 

SC12-28 12V 28AH 176 166.5 125 125 8.80 

SC12-30 12V 30AH 195 130 164 180 9.30 

SC12-35 12V 3H 195 130 164 180 11.20-

产品描述： 

电池结构

1电解液固定方式：电解液由气体二氧化硅及多种添加剂以胶体形式固定.注入时为液态，可充满电池内的所有空间。

2极柱密封方式：多层耐酸橡胶圈滑动式密封，保证了使用寿命后期极群生长时的密封。

3 极板：铅钙锡无锑多元合金，管式正极板管芯可采用高压压铸工艺生产，晶格细小均匀，耐腐蚀性好，电池的使用寿命长。

二 电池性能

1浮充性能：由于电解液比重低，浮充电压相对也比较低另外胶体的散热性也远优于玻璃棉，绝无热失控事故，浮充寿命长。

2深循环性能：特殊的含磷酸胶体和含锡正极板合金，电池的循环性能和深放电恢复能力优越。

3自放电：由于选用的材料纯度高，电解液比重低，电池的自放电率为0.05-0.06%/天，电池常温下可储存二年无须补充充电。

4电解液的层化：硫酸被胶体均匀地固化分布，绝无浓度层化问题，电池可竖直或水平任意放置。 

KILO蓄电池特点 

安全性能好

》贫液式设计，电池内的电解液全部被极板和超细玻璃纤维隔板吸附，电池内部无自由流动的电解液，在正常使用情况下无电解液漏出，侧倒90度安装也可正常使用。

》阀控密封式结构，当电池内气压偶尔偏高时，可通过安全阀的自动开启，泄掉压力，保证安全，内部产生可燃爆性气体聚集少，达不到燃爆浓度，防爆性能。

免维护性能

》利用阴极吸收式密封免维护原理，气体密封复合效率超过95%，正常使用情况下失水极少，电池无需定期补液维护。

绿色环保

》正常充电下无酸雾，不污染机房环境、不腐蚀机房设备。

自放电小

》采用析气电位高的Pb-Ca-Sn合金，在20℃的干爽环境中放置半年，无需补电即可投入正常使用。

适用环境温度广

》－10℃～45℃可平稳运行。

耐大电流性能好

》紧装配工艺，内阻小，可进行3倍容量的放电电流放电3分钟（≤24Ah允许7分钟以上持续放电至终止电压）或6倍容量的放电电流放电5秒，电池无异常。

寿命长

》由于采用高纯原材料及长寿命配方、电池组一致性控制工艺，NP系列电池组正常浮充设计寿命可达7～10年（≥38Ah）。 

电池组一致性好

》不计成本的保证电池组中的每一个电池具有相对一致的特性，确保在投入使用后长期的放电一致性和浮充一致性，不出现个别落后电池而拖垮整组电池。 

①从源头的板栅、涂膏量的重量和厚度开始控制；

②总装前再逐片极板称重分级（≥38Ah的电池），确保每个单体中活性物质的量的相对一致性；

③定量精确注酸，四充三放化成制度，均衡电池性能；

④下线前对电池进行放电，进行容量和开路电压的一次配组；

⑤≥38Ah的电池出库前的静置期检测，经过7～15天的“时间考验”，出库时再检，能有效检出下线时难以检出的极个别疑虑电池；

⑥出库时依据电池的开路电压和内阻进行二次配组 

　
　　IGBT的驱动电路是IGBT器件与控制电路之间的接口,实现对控制信号的隔离、放大和保护,驱动电路对IGBT的正常工作及其保护起着非常重要的作用,门极电路的正偏压uGS,负偏压-uGS和门极电阻RG的大小,对IGBT的通态电压、开关、开关损耗、承受短路能力参数有不同程度的影响,因此驱动电路设计对IGBT的动态和静态性能都有重要影响,对驱动电路提出以下要求:
　　
　　(1)动态驱动能力强
　　
　　能为栅极驱动电压脉冲提供足够大的上升率和下降率,以减小开通和关断损耗。但是,由于主电路中存在分布电感及滤波电容的串联电感,随着IGBT的高速开通与关断,将在电路中产生幅值很高而宽度很窄的高频尖峰电压Ldi/dt,该尖峰电压应用常规的过电压吸收电路是吸收不掉的,因而有可能造成IGBT自身或电路中其他元器件过电压击穿而损坏。所以,主电路应尽可能使用短引线或双绞线降低分布电感的影响,而且IGBT开关时间也不能过短,其值应根据所有元器件及IGBT自身承受du/dt的能力综合考虑[1]。
　　
　　(2)向IGBT提供适当的正向栅极电压
　　
　　IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关,在集射极电流一定的情况下,uGE越高,uCE就越低,器件的导通损耗就越小,这有利于提高开关效率。但是,uGE并非越高越好,一般不允许超过20V,原因是一旦发生过流或短路,栅压越高,则电流幅值越高,IGBT损坏的可能性就越大。通常取15V为宜。
　　
　　(3)向IGBT提供适当的反向栅极电压
　　
　　对IGBT栅射极施加的反向偏压有利于其快速关断,但-uGE反向偏压受IGBT栅射极之间反向Z大耐压的限制,过大的反向电压会造成IGBT栅射极的反向击穿,所以-uGE应取合适的值,一般为-2～-15V。
　　
　　(4)有足够的输入输出电隔离能力
　　
　　由于IGBT多用于高电压场合,而控制电路并不与高压电路有直接耦合,所以驱动电路应与整个控制电路在电位上有严格的隔离。但是,这种电隔离不应影响驱动信号的正常传输。
　　
　　(5)具有栅极电压限幅能力,保护栅极不被击穿
　　
　　IGBT栅极电压一般为-20～+20V,超出此范围就可能破坏栅极。
　　
　　(6)选择合适的RG
　　
　　IGBT驱动电路中的RG对工作性能有较大的影响,RG较大,有利于YZIGBT的电流上升率及电压上升率,但会增加IGBT的开关时间和开关损耗,RG较小,会引起电流上升率增大,使IGBT误导通或损环。RG的具体数据与驱动电路的结构及IGBT的容量有关,一般在几欧～几十欧。
　　
　　(7)IGBT的栅极驱动电路应尽可能简单、实用
　　
　　Z好具有对驱动IGBT的完整保护能力及很强的抗*性能,而且输出阻抗应尽可能的低。
　　
　　(8)由于栅极信号的高频变化,造成同一个系统中多个IGBT的栅极驱动电路相互*
　　
　　为防止*的出现,引线应采用绞线或同轴电缆屏蔽线,同时栅极驱动电路中IGBT模块栅射极的引线也应尽可能短[2]。
　　
　　2 实用型IGBT驱动电路
　　
　　针对IGBT驱动电路的上述要求,在工程实践中推出一种简单实用的分立式IGBT驱动电路,如图1所示,

在电路简图中:VT1、VT3为NPN型三极管,VT2、VT4为PNP型三极管,VD1～VD4为保护二极管,两路PWM控制信号A、B[3]为高电平或低电平,即A为高电平,B为低电平时,VT1、VT4导通,VT2、VT3关断,此时,VT1、VT4和Tr1原边绕组形成通路,脉冲电压加在Tr1的原边,与原边同相位的副边得到开通驱动信号,与原边相反的副边得到关断驱动信号。这些部分的作用是将A、B信号推挽放大,并通过隔离变压器Tr1将驱动信号发生电路与高压电路隔离。
　　
　　当开通驱动信号加在CD端时,在脉冲的上升沿,电容C1相当于短路,通过电阻R1和加速电容C1向IGBT(VT6)栅极提供较大电流,降低驱动脉冲的上升时间,Z终IGBT因uGE上升至15V而导通。同时因为NPN三极管VT5的门极通过R2接至低电平,所以处于截止状态,对IGBT的导通没有影响;在脉冲平顶期,此时,IGBT的输入电容Cies已经满电,IGBT的G-E极之间相当于断开,变压器副边uCD保持高电平。当脉冲下降沿到来时,IGBT的输入电容在这段时间要反向放电,若放电速度太快,会引起极大的关断尖峰,造成IGBT的损坏;若放电速度太慢又会造成IGBT关断时间过长,形成较大的拖尾电流,造成关断损耗增加,降低效率。因此应该适当控制IGBT输入电容的放电速度。在图1的实用型驱动电路中可以通过改变VT5的限流电阻R2和加速电容C1的值来实现Cies适当放电:当C1较大,R2较小时,一方面电容C1中储存的电量较大,另一方面,三极管VT5基极电流大使得发射极电流大,因此Cies的放电速度较大;当C1较小,R2较大时,Cies放电速度减小。又因为C1往往大于Cies,因此在输入电容Cies放电结束后,即IGBT关断后,C1上可能还残存少量电量,若没有适当的放电回路,这个电容经过几个脉冲周期后充满电荷,而失去加速作用,所以要求C1在每个周期上升沿到来时,电容上无存储电荷,因此在IGBT的G-E端并联电阻R3,给电容C1提供放电回路。VD5为15V稳压管,防止驱动信号失控而造成的IGBT损坏。