PEM-n vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器（0.5um-11um）_详细资料

产品信息

vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器（0.5um-11um）
PEM系列（2-12μm红外光电磁探测器、光平直入浸式）
特点：室温下工作；无需偏置；光谱范围（2-12µm）；D*(10.6 µm)达到2*10⁷cmHz^1/2/W；响应时间≤1ns；无闪动噪声；从直流到高频工作；重量轻，耐用可靠；低成本；可根据客户要求设计。
描述：PEM系列经过优化使得在波长为10.6微米可以达到Z佳的使用状态。PEM1使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。探测器由(Hg-Cd-Zn-Te)半导体经过成分选择和掺杂面处理而获得，微型永磁铁提供非常强的磁场。PEM系列的探测器非常适合10.6微米辐射的外差探测。无闪动噪音，在整个2-12 µm光谱范围内可以同时用于CW和低频调制辐射。可以按客户定制器件的要求提供如单个各种规格的元件、四象限单元、多元件阵列、特定封装和连接器。vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器（0.5um-11um）
详细规格：
特性（@ 20ºC）
单位
PEM－10.6
PEMI－10.6
Z佳特性波长λop
μm
10.6
10.6
探测率:
at λpeak
at λop
cmHz^1/2/W
≥1.5E7
≥4E6
≥8E7
≥2E7
电阻率
V/W
≥0.04
≥0.2
响应时间τ
ns
≤1
≤1
电阻
Ω
40－100
40－100
光学面积（长×宽）
或直径(圆形)
mm x mm
mm
0.1×0.1;0.2×0.2;0.5×0.5;1×1;2×2
工作温度
K
300
视场, F/#
deg
60,0.5 38,1.65

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电阻	Ω	40－100	40－100
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