PV-2TE-13 vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器（0.5um-11um）_详细资料

产品信息

vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器（0.5um-11um）
TE制冷光电探测器
1、PV-2TE（2-12μm红外光电探测器、热电制冷）
特点：高性能的在2-12μm范围，无须LN（液氮）制冷；快速响应；无闪动噪声；使用方便；动态范围宽；小巧,耐用可靠；低成本；及时交货；可按客户要求设计。
描述：PV-2TE-n （n表示Z佳特性波长，单位是微米）系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。这些器件在2～11µm范围内的任意值可以优化为Z高性能。他们的高性能和稳定性可以通过Z近开发的间隙（Hg，Cd，Zn）Te半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗，并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器（0.5um-11um）
详细规格：
特性（@ 20ºC）
单位
PV-2TE-3
PV-2TE-4
PV-2TE-5
PV-2TE-6
PV-2TE-8
PV-2TE-10.6
Z佳特性波长λop
μm
3
4
5
6
8
10.6
探测率:
at λpeak
at λop
cmHz^1/2/W

≥8?10¹⁰ ≥5?10¹⁰

≥1.5?10¹⁰
≥1?10¹⁰

≥8?10⁹
≥5?10⁹

≥4?10⁹ ≥2?10⁹

≥8?10⁸ ≥4?10⁸

≥3?10⁸
≥1?10⁸
响应度
A/W
≥1.2
≥1.3
≥1.3
≥1.2
≥1
≥0.7
响应时间τ
ns
≤15**
≤20**
≤20**
≤10**
≤7**
≤3**
并联电阻-光学面积
Ω·cm 2
≥0.3
≥0.10
≥0.02
≥0.006
≥0.001
≥0.0001
光学面积（长×宽）
或直径 (圆形)
mm x mm
mm
0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
ø 0.025; ø 0.05; ø 0.1; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3
工作温度
K
220-240
视场, F#
deg
60, 0.5
2、PVI-2TE（2-12μm红外光电探测器、热电制冷、光侵入式）
特点：高性能的在2-12μm范围，无须LN（液氮）制冷；快速响应；无闪动噪声；使用方便；动态范围宽；小巧,耐用可靠；低成本；及时交货；可按客户要求设计。
描述：PVI-2TE-n （n表示Z佳特性波长，单位是微米）系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜（可选）进行光照入。这些器件在2～11µm范围内的任意值可以优化为Z高性能。他们的高性能和稳定性可以通过Z近开发的间隙（Hg，Cd，Zn）Te半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗，并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。
详细规格：
特性（@ 20ºC）
单位
PVI-2TE-3
PVI-2TE-4
PVI-2TE-5
PVI-2TE-6
PVI-2TE-8
PVI-2TE-10.6
Z佳特性波长λop
μm
3
4
5
6
8
10.6
探测率:
at λpeak
at λop
cmHz^1/2/W

≥2?10¹¹
≥1.5?10¹⁰

≥6?10¹⁰
≥4?10¹⁰

≥3?10¹⁰
≥2?10¹⁰

≥2?10¹⁰
≥1?10¹⁰

≥5?10⁹
≥2?10⁹

≥3?10⁹
≥1?10⁹
响应度
A/W
≥1.2
≥1.3
≥1.3
≥1.2
≥1
≥0.7
响应时间τ
ns
≤15**
≤20**
≤20**
≤10**
≤7**
≤3**
并联电阻-光学面积
Ω·cm 2
≥30
≥10
≥2
≥0.6
≥0.1
≥0.01
光学面积（长×宽）
或直径 (圆形)
mm x mm
mm
0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
ø0.2; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3
工作温度
K
220-240
视场, F#
deg
35,1.65
3、PVM-2TE（2-12μm红外光电探测器、倍增结构、热电制冷）
特点：高性能的在2-12μm范围，无须LN（液氮）制冷；快速响应；无闪动噪声；使用方便；动态范围宽；小巧,耐用可靠；低成本；及时交货；可按客户要求设计。
描述：PV-2TE-n （n表示Z佳特性波长，单位是微米）系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。这些器件可以优化为更长波长,更大面积的更高性能器件。他们的高性能和稳定性可以通过Z近开发的间隙（Hg，Cd，Zn）Te半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗，并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。
详细规格：
特性（@ 20ºC）
单位
PVM-2TE-8
PVM-2TE-10.6-2
Z佳特性波长λop
µm
8
10.6
探测率:
at λpeak
at λop
cmHz^1/2/W
≥6?10⁸
≥3?10⁸
≥2?10⁸
≥1?10⁸
响应度 – at λop*
V x mm /W
≥2
≥0.5
响应时间τ
ns
≤7
≤3
电阻
Ω
40－300
30－200
光学面积（长×宽）
mm x mm
0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
工作温度*
K
220-240
视场, F#*
deg
60, 0.5
4、PVMI-2TE（2-12μm红外光电探测器、倍增结构、热电制冷、光侵入式）
特点：高性能的长波长范围，无须LN（液氮）制冷；快速响应；无闪动噪声；使用方便；动态范围宽；小巧,耐用可靠；低成本；及时交货；可按客户要求设计。
描述：PVMI-2TE-n （n表示Z佳特性波长，单位是微米）系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜（可选）进行光照入。这些器件可以优化为更长波长,更大面积的更高性能器件。他们的高性能和稳定性可以通过Z近开发的间隙（Hg，Cd，Zn）Te半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗，并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。
详细规格：
特性（@ 20ºC）
单位
PVMI-2TE-10.6
Z佳特性波长λop
µm
10.6
探测率:
at λpeak
at λop
cmHz^1/2/W
≥2?10⁹
≥1?10⁹
响应度 – at λop
V·mm /W
≥7
响应时间τ
ns
≤3
电阻*
Ω
30-200
光学面积 （长×宽）
mm x mm
0.1×0.1；0.25×0.25；0.5×0.5；1×1；2×2；
工作温度*
K
220-240
视场, F#*
deg
35，1.65
5、PC-2TE（2-12μm红外光电探测器、热电制冷）
特点：高性能在2-14μm范围，无须LN（液氮）制冷；快速响应；使用方便；动态范围宽；小巧,耐用可靠；低成本；及时交货；可按客户要求设计
描述：PC-2TE-n （n表示Z佳特性波长，单位是微米）系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜（可选）进行光照入。这些设备在2～14µm范围内的任意值可以优化为Z高性能。他们的高性能和稳定性可以通过Z近开发的间隙（Hg，Cd，Zn）Te半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗，并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。
详细规格：
特性（@ 20ºC）
单位
PC-2TE-4
PC-2TE-5
PC-2TE-6
PC-2TE-9
PC-2TE-10.6
PC-2TE-12
Z佳特性波长λop
µm
4
5
6
9
10.6
12
探测率:
at ?λpeak, 20kHz
at λop, 20kHz
cmHz^1/2/W
>4E10 >2E10
>2E10 >1E10
>6E9
>3E9
>2E9 >8E8**
>5E8
>2.5E8**
>4E8
>1.5E8**
响应度-atλop1x1 mm
V/W
>1000
>500
>70
>5
>3
>1
响应时间τ
ns
<4000
<2000
<1000
<20
<10
<2
1/f噪声拐点频率
kHz
1-10
1-10
1-10
1-10
1-20
1-20
有效面积, (长 × 宽)
mm × mm
0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
偏置电流-宽度比*
mA/mm
1－2
2－4
4－8
4－10
5－15
5－15
薄层电阻系数
Ω/sqr
600-1500
300-500
200-400
80-200
50-150
50-150
视场, F#
deg
60, 0.5
6、PCI-2TE（2-12μm红外光电探测器、热电制冷、光侵入式）
特点：高性能在2-14μm范围，无须LN（液氮）制冷；快速响应；使用方便；与快速元器件兼容；动态范围宽；小巧,耐用可靠；低成本；及时交货；可按客户要求设计
描述：PCI-2TE-n （n表示Z佳特性波长，单位是微米）系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜（可选）进行光照入。这些设备在2～14µm范围内的任意值可以优化为Z高性能。他们的高性能和稳定性可以通过Z近开发的间隙（Hg，Cd，Zn）Te半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗，并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。
详细规格：
特性（@ 20ºC）
单位
PCI-2TE-4
PCI-2TE-5
PCI-2TE-6
PCI-2TE-9
PCI-2TE-10.6
PCI-2TE-12
Z佳特性波长λop
µm
4
5
6
9
10.6
12
探测率:
at λ? peak, 20kHz
at λop, 20kHz
cmHz^1/2/W
>1E11 >5E10
>6E10
>3E10
>2E10 >1E10
>9E9
>4E9
>5E9
>2.5E9
>4E9
>1.5E9
响应度- atλop1x1 mm
Vmm/W
>6000
>3000
>600
>40
>25
>15
响应时间τ
ns
<4000
<2000
<1000
<20
<10
<2
1/f噪声拐点频率
kHz
1-10
1-10
1-10
1-10
1-20
1-20
有效面积, (长×宽)
mm×mm
0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
偏置电流-宽度比*
mA/mm
0.05－0.3
0.1－0.5
0.3－0.8
2－5
5－20
5－20
薄层电阻系数
Ω/sqr
600-1500
300-500
200-400
50-200
50-150
50-150
视场, F#
deg
35, 1.65

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特性（@ 20ºC）	单位	PV-2TE-3	PV-2TE-4	PV-2TE-5	PV-2TE-6	PV-2TE-8	PV-2TE-10.6
Z佳特性波长λop	μm	3	4	5	6	8	10.6
探测率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥8?10¹⁰ ≥5?10¹⁰	≥1.5?10¹⁰ ≥1?10¹⁰	≥8?10⁹ ≥5?10⁹	≥4?10⁹ ≥2?10⁹	≥8?10⁸ ≥4?10⁸	≥3?10⁸ ≥1?10⁸
响应度	A/W	≥1.2	≥1.3	≥1.3	≥1.2	≥1	≥0.7
响应时间τ	ns	≤15**	≤20**	≤20**	≤10**	≤7**	≤3**
并联电阻-光学面积	Ω·cm 2	≥0.3	≥0.10	≥0.02	≥0.006	≥0.001	≥0.0001
光学面积（长×宽）或直径 (圆形)	mm x mm mm	0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø 0.025; ø 0.05; ø 0.1; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3
工作温度	K	220-240
视场, F#	deg	60, 0.5

特性（@ 20ºC）	单位	PVI-2TE-3	PVI-2TE-4	PVI-2TE-5	PVI-2TE-6	PVI-2TE-8	PVI-2TE-10.6
Z佳特性波长λop	μm	3	4	5	6	8	10.6
探测率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥2?10¹¹ ≥1.5?10¹⁰	≥6?10¹⁰ ≥4?10¹⁰	≥3?10¹⁰ ≥2?10¹⁰	≥2?10¹⁰ ≥1?10¹⁰	≥5?10⁹ ≥2?10⁹	≥3?10⁹ ≥1?10⁹
响应度	A/W	≥1.2	≥1.3	≥1.3	≥1.2	≥1	≥0.7
响应时间τ	ns	≤15**	≤20**	≤20**	≤10**	≤7**	≤3**
并联电阻-光学面积	Ω·cm 2	≥30	≥10	≥2	≥0.6	≥0.1	≥0.01
光学面积（长×宽）或直径 (圆形)	mm x mm mm	0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.2; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3
工作温度	K	220-240
视场, F#	deg	35,1.65

特性（@ 20ºC）	单位	PVM-2TE-8	PVM-2TE-10.6-2
Z佳特性波长λop	µm	8	10.6
探测率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥6?10⁸ ≥3?10⁸	≥2?10⁸ ≥1?10⁸
响应度 – at λop*	V x mm /W	≥2	≥0.5
响应时间τ	ns	≤7	≤3
电阻	Ω	40－300	30－200
光学面积（长×宽）	mm x mm	0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
工作温度*	K	220-240
视场, F#*	deg	60, 0.5

特性（@ 20ºC）	单位	PVMI-2TE-10.6
Z佳特性波长λop	µm	10.6
探测率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥2?10⁹ ≥1?10⁹
响应度 – at λop	V·mm /W	≥7
响应时间τ	ns	≤3
电阻*	Ω	30-200
光学面积（长×宽）	mm x mm	0.1×0.1；0.25×0.25；0.5×0.5；1×1；2×2；
工作温度*	K	220-240
视场, F#*	deg	35，1.65

特性（@ 20ºC）	单位	PC-2TE-4	PC-2TE-5	PC-2TE-6	PC-2TE-9	PC-2TE-10.6	PC-2TE-12
Z佳特性波长λop	µm	4	5	6	9	10.6	12
探测率: at ?λpeak, 20kHz at λop, 20kHz	cmHz^1/2/W	>4E10 >2E10	>2E10 >1E10	>6E9 >3E9	>2E9 >8E8**	>5E8 >2.5E8**	>4E8 >1.5E8**
响应度-atλop1x1 mm	V/W	>1000	>500	>70	>5	>3	>1
响应时间τ	ns	<4000	<2000	<1000	<20	<10	<2
1/f噪声拐点频率	kHz	1-10	1-10	1-10	1-10	1-20	1-20
有效面积, (长 × 宽)	mm × mm	0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
偏置电流-宽度比*	mA/mm	1－2	2－4	4－8	4－10	5－15	5－15
薄层电阻系数	Ω/sqr	600-1500	300-500	200-400	80-200	50-150	50-150
视场, F#	deg	60, 0.5

特性（@ 20ºC）	单位	PCI-2TE-4	PCI-2TE-5	PCI-2TE-6	PCI-2TE-9		PCI-2TE-10.6	PCI-2TE-12
Z佳特性波长λop	µm	4	5	6	9		10.6	12
探测率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz	cmHz^1/2/W	>1E11 >5E10	>6E10 >3E10	>2E10 >1E10	>9E9 >4E9		>5E9 >2.5E9	>4E9 >1.5E9
响应度- atλop1x1 mm	Vmm/W	>6000	>3000	>600	>40		>25	>15
响应时间τ	ns	<4000	<2000	<1000	<20		<10	<2
1/f噪声拐点频率	kHz	1-10	1-10	1-10	1-10		1-20	1-20
有效面积, (长×宽)	mm×mm	0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
偏置电流-宽度比*	mA/mm	0.05－0.3	0.1－0.5	0.3－0.8		2－5	5－20	5－20
薄层电阻系数	Ω/sqr	600-1500	300-500	200-400		50-200	50-150	50-150
视场, F#	deg	35, 1.65