FPA-640*512 InGaAs Imager(0.9um-1.7um)
CLPT中华立鼎制冷型铟镓砷InGaAs短波红外芯片,此InGaAs焦平面阵列是应用在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术,尤其是在非制冷条件下的优化解决方案,CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列,CLCC封装也便于CCD与CMOS数码相机销售商的机械设计。灵敏度可以通过使用嵌入式TEC进一步提高,高可靠性可以通过密封金属封装来实现。
Features(特点) | 640*512阵列格式 | 25um 象元间距 | Kovar metal一级制冷 | 低暗电流 | 高量子效率 | 高可操作性 |
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| | Applications(应用) | 近红外成像 | 超光谱 | 秘密监察 | 半导体检测 | 天文学和科学 | 工业热成像 |
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FPA-640*512说明
参数 | 单位 | Z小值 | Z大值 |
工作温度范围 | ℃ | -20 | +85 |
储存温度范围 | ℃ | -40 | +85 |
功耗 | mW | --- | 325 |
TEC 电流 | A | --- | 1.8 |
TEC 电压 | V | --- | 15.4 |
FPA Characteristics(FPA特性)
参数 | 典型值 | 条件 |
光谱响应 | 0.9-1.7um | --- |
Z小像素的可操作性 | >99% | 636*508内的ZX地区 |
暗电流 | <0.2PA | 25℃,0.1V探测器偏压 |
量子效率 | >70% | λ=1.0um-1.6um |
探测率 | ≥5*1011 jones | 25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益 |
响应非均匀性 | <10% | 饱和度低于50%,25℃ |
非线性(Z大偏差) | <2% | 超过15%-85%全阱容量,低增益 |
Z大像素率 | 10MHz | --- |
增益 | High:32.3uV/e- Low:1.2 uV/e- | 25℃ |
TEC 制冷 | ΔT>70℃ | 无需加载 |
1.3、随着技术的不断革新,现CLPT公司也提供:
1)CLPT中华立鼎制冷型铟镓砷InGaAs短波红外芯片,响应波段在1.2-2.2um范围的320*256面阵探测器;
2),体积更小,质量更轻的320x256和640x512面阵探测器,