CLPT中华立鼎非制冷铟镓砷InGaAs短波红外芯片,此二维铟钾砷面阵探测器的响应波段为900-1700nm,目前可做到320x256和640x512阵列。此阵列探测器利用覆晶装订技术可以使其与读出电路紧密结合,同时采用LCC及Kovar气密封装,且表面镀有抗反射膜。同时,我们可以根据客户的需求定制封装不同的产品。
Features(特点) | Large Sensing Area大感光面 | High Responsitivity高响应率 | High Sensitivity高灵敏度 | High Shunt Resistance高阻抗 | Low Dark Current低暗电流 | High Dynamic Range高动态范围 | Optical Powering视觉影像 |
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| | Applications(应用) | Power Measurement功率测量 | IR Sensing红外线测量 | Spectrography光谱分析 | Medical and Chemical Devices 医学和生化检测 | Temperature Sensors温度测量 | Light Detection and Ranging (LIDAR) |
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1.1、FPA-320x256InGaAs Imager(0.9um-1.7um)
CLPT中华立鼎非制冷铟镓砷InGaAs短波红外芯片,此InGaAs焦平面阵列是应用在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术,尤其是在非制冷条件下的优化解决方案,CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列,CLCC封装也便于CCD与CMOS数码相机制造商的机械设计。
Features(特点) | 320*256 阵列格式 | 30um 象元间距 | CLCC 封装 | 低暗电流 | 高量子效率 | 高可操作性 |
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| | Applications(应用) | 近红外成像 | 超光谱 | 秘密监察 | 半导体检测 | 天文学和科学 | 工业热成像 |
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Z大额定值
参数 | 单位 | Z小值 | Z大值 |
工作温度范围 | ℃ | -20 | 85 |
储存温度范围 | ℃ | -40 | 85 |
功耗 | mW | --- | 175 |
FPA特性
参数 | 典型值 | 条件 |
光谱响应 | 0.9um-1.7um | --- |
Z小像素的可操作性 | >99% | 318*254内的ZX地区 |
暗电流 | <0.4PA | 25℃,0.1V 探测器偏压 |
量子效率 | >70% | λ=1.0um-1.6um |
探测率 | ≥5*1011Jones | 25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益 |
响应非均匀性 | <10% | 饱和度低于50%,25℃ |
非线性(Z大偏差) | <2% | 超过10%-90%满阱容量 |
Z大像素率 | 10MHz | --- |
增益 | High:14.38uV/e- Low:0.77 uV/e- | 25℃ |