SENTECH Depolab200 经济型等离子增强化学气相沉积设备

Cost-effectiveness 经济实惠 
PECVD plasma deposition tool Depolab 200 combines parallel plate plasma source design with direct load. 
PECVD 等离子沉积机台Depolab 200延续了带有直接装载装置的平行板等离子源的设计。 
Upgradeability 升级能力 
基于模块化的设计，Depolab 200可以用增加更大的泵、低频电源和附加气路等方法升级。 
SENTECH control software SENTECH控制软件 
控制软件包括模拟用户界面，参数窗口，工艺程序编辑器，数据记录和用户管理。 
Depolab 200是具有SENTECH平板电极设计优势的PECVD机台，可实现2至8寸晶圆及小样品的标准工艺，并可通过升级满足复杂工艺要求。 
Depolab 200在结构、可靠性和软硬件灵活性上均有杰出的的设计。在此系统上研发出不同的工艺，例如高质量氧化硅和氮化硅膜工艺。Depolab 200由带气源箱的反应器、控制电路、计算机、初级泵和主接线箱组成。 
Depolab 200等离子沉积机台适用于SiO2, SiNx, SiONx和a-Si薄膜的沉积，Z高温度为400°C。Depolab尤其适用于沉积刻蚀掩膜用介质膜、薄膜和介电膜的沉积。 
The Depolab 200可以通过用户友好的SENTECH控制软件界面进行远程操作。