Picosun公司新型PICOPLASMA™等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统是基于先进的自由离子远程等离子源设计的，其性能已经得到世界范围内的诸多研究团队的肯定。多种激发源（如氧、氢和氮等）配置能够化拓展ALD的工艺范围，尤其是低温沉积金属和金属氮化物薄膜。由于远程等离子源所产生的等离子体束流中离子的含量低，因此即使是Z敏感的衬底，也不会出现等离子损伤，而等离子束流中含有高浓度的活性粒子，保证很快的生长速度。
PICOPLASMA™源系统既可以安装在现有的PICOSUNTM ALD反应器上，也可以将整个PEALD组装为一个整体。它具有占地面积小、易维护和低运行成本等优点。通过预真空系统，PICOPLASMA™集成在PICOPLATFORM™集群系统中后可实现自动化操作。
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部分PEALD材料的薄膜均匀性的例子，采用PICOSUN™设备沉积。晶圆尺寸150/200 mm(6/8”)
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材料
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非均匀性(1σ) |
| AI2O3 |
0.50 % |
| AlN |
0.62 % |
| In2O3 |
0.87% |
| SiO2 (low-T) |
1.10% |
| SiN (low-T) |
1.58% |
| TiN |
2.16% |
| ZnO |
2.64% |
| TiAlN |
2.87% |
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