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KRI 考夫曼离子源 KDC 160
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列ZD,离子能量的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用, 离子源 KDC 160 高输出设计,ZD电流超过 1000 mA. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计,标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数
型号 | KDC 160 |
供电 | DC magnetic confinement |
- 阴极灯丝 | 2 |
- 阳极电压 | 0-100V DC |
电子束 | OptiBeam™ |
- 栅极 | 专用, 自对准 |
-栅极直径 | 16 cm |
中和器 | 灯丝 |
电源控制 | KSC 1212 |
配置 | - |
- 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
- 安装 | 移动或快速法兰 |
- 高度 | 9.92' |
- 直径 | 9.1' |
- 离子束 | 聚焦 平行 散设 |
-加工材料 | 金属 电介质 半导体 |
-工艺气体 | 惰性 活性 混合 |
-安装距离 | 8-45” |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架
KRI 考夫曼离子源 KDC 160 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列, 栅极灯丝型离子源, 通过加热灯丝产生电子, 提供低电流高能量离子束. 离子束可选聚焦,平行, 散设三种方式, KDC 系列离子源适用于离子溅镀和蒸发镀膜 PC, 辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 离子溅射沉积和多层结构 IBSD, 离子蚀刻 IBE 等.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) ZG总代理.