GH-60 昆山国华等离子清洗机改变氮化硅层性能

昆山国华等离子清洗机改变氮化硅层性能

真空等离子清洗机的刻蚀工艺在半导体集成电路中，既可以刻蚀表层的光刻胶，也能够刻蚀下层的氮化硅层，通过对真空等离子清洗机的部分参数调整，是能够形成一定的氮化硅层形貌，即侧壁蚀刻倾斜度。​​​
1 氮化硅材料特点

氮化硅（Si3N4）是目前炙手可热的新材料之一，具有密度小、硬度大、弹性模量高、热稳定性好等特点，在诸多领域都有应用。在晶圆制造中，氮化硅可替代氧化硅使用，因其硬度高，可在晶圆表面形成非常薄的氮化硅薄膜（在硅片加工中，应用最为广泛的描述薄膜厚度的单位是埃），厚度约在数十埃，保护表面，避免划伤，此外其突出的绝缘强度和抗氧化能力也能够很好地达到隔离的效果。氮化硅的不足在于，其流动性不如氧化物，难以刻蚀，采用等离子刻蚀可以克服刻蚀上的难点。2 等离子体刻蚀原理和应用

等离子刻蚀是通过化学作用或者物理作用，或者物理和化学共同作用来实现的。反应腔室内的气体辉光放电，包括离子、电子及游离基等活性物质的等离子体，通过扩散作用吸附到介质表面，与介质表面原子发生化学反应，形成挥发性物质。同时高能离子在一定压力下对介质表面进行物理轰击和刻蚀，去除再沉积的反应产物和聚合物。通过化学和物理的共同作用来完成对介质层的刻蚀。刻蚀作为晶圆制造工艺中重要的一种，是微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤，一般在光刻胶涂布和光刻显影之后，以光刻胶作为掩膜，通过物理溅射和化学作用将不需要的金属去除，其目的是为了形成与光刻胶图形相同的线路图形。等离子刻蚀是主流的干式刻蚀，因其具有较好的刻蚀速率以及良好的方向性，目前已逐渐替代湿法刻蚀。

3 形成氮化硅侧壁蚀刻倾斜度的影响参数

真空等离子清洗机的刻蚀工艺在半导体集成电路中，既可以刻蚀表层的光刻胶，也能够刻蚀下层的氮化硅层，同时还需防止对硅衬底有刻蚀损伤，为达到多项精确的工艺要求。在我们若干实验测试中发现，改变真空等离子清洗机的部分参数，不仅达到上述的刻蚀要求，同时能够形成一定氮化硅层的形貌，即侧壁蚀刻倾斜度。

昆山国华等离子清洗机改变氮化硅层性能

其意义在于，当氮化硅侧壁具有一定的倾斜度，能够有效降低金属镀膜层在阶梯覆盖时出现断裂的几率，从而改善集成电路中工艺金属线路内部断裂的问题。

1 氮化硅材料特点

氮化硅（Si3N4）是目前炙手可热的新材料之一，具有密度小、硬度大、弹性模量高、热稳定性好等特点，在诸多领域都有应用。在晶圆制造中，氮化硅可替代氧化硅使用，因其硬度高，可在晶圆表面形成非常薄的氮化硅薄膜（在硅片加工中，应用最为广泛的描述薄膜厚度的单位是埃），厚度约在数十埃，保护表面，避免划伤，此外其突出的绝缘强度和抗氧化能力也能够很好地达到隔离的效果。氮化硅的不足在于，其流动性不如氧化物，难以刻蚀，采用等离子刻蚀可以克服刻蚀上的难点。

2 等离子体刻蚀原理和应用

等离子刻蚀是通过化学作用或者物理作用，或者物理和化学共同作用来实现的。反应腔室内的气体辉光放电，包括离子、电子及游离基等活性物质的等离子体，通过扩散作用吸附到介质表面，与介质表面原子发生化学反应，形成挥发性物质。同时高能离子在一定压力下对介质表面进行物理轰击和刻蚀，去除再沉积的反应产物和聚合物。通过化学和物理的共同作用来完成对介质层的刻蚀。

刻蚀作为晶圆制造工艺中重要的一种，是微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤，一般在光刻胶涂布和光刻显影之后，以光刻胶作为掩膜，通过物理溅射和化学作用将不需要的金属去除，其目的是为了形成与光刻胶图形相同的线路图形。等离子刻蚀是主流的干式刻蚀，因其具有较好的刻蚀速率以及良好的方向性，目前已逐渐替代湿法刻蚀。

3 形成氮化硅侧壁蚀刻倾斜度的影响参数

真空等离子清洗机的刻蚀工艺在半导体集成电路中，既可以刻蚀表层的光刻胶，也能够刻蚀下层的氮化硅层，同时还需防止对硅衬底有刻蚀损伤，为达到多项精确的工艺要求。在我们若干实验测试中发现，改变真空等离子清洗机的部分参数，不仅达到上述的刻蚀要求，同时能够形成一定氮化硅层的形貌，即侧壁蚀刻倾斜度。

其意义在于，当氮化硅侧壁具有一定的倾斜度，能够有效降低金属镀膜层在阶梯覆盖时出现断裂的几率，从而改善集成电路中工艺金属线路内部断裂的问题。如下所示是氮化硅侧壁垂直和具有一定倾斜度的示意图：

1 氮化硅材料特点

氮化硅（Si3N4）是目前炙手可热的新材料之一，具有密度小、硬度大、弹性模量高、热稳定性好等特点，在诸多领域都有应用。在晶圆制造中，氮化硅可替代氧化硅使用，因其硬度高，可在晶圆表面形成非常薄的氮化硅薄膜（在硅片加工中，应用最为广泛的描述薄膜厚度的单位是埃），厚度约在数十埃，保护表面，避免划伤，此外其突出的绝缘强度和抗氧化能力也能够很好地达到隔离的效果。氮化硅的不足在于，其流动性不如氧化物，难以刻蚀，采用等离子刻蚀可以克服刻蚀上的难点。

2 等离子体刻蚀原理和应用

等离子刻蚀是通过化学作用或者物理作用，或者物理和化学共同作用来实现的。反应腔室内的气体辉光放电，包括离子、电子及游离基等活性物质的等离子体，通过扩散作用吸附到介质表面，与介质表面原子发生化学反应，形成挥发性物质。同时高能离子在一定压力下对介质表面进行物理轰击和刻蚀，去除再沉积的反应产物和聚合物。通过化学和物理的共同作用来完成对介质层的刻蚀。

刻蚀作为晶圆制造工艺中重要的一种，是微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤，一般在光刻胶涂布和光刻显影之后，以光刻胶作为掩膜，通过物理溅射和化学作用将不需要的金属去除，其目的是为了形成与光刻胶图形相同的线路图形。等离子刻蚀是主流的干式刻蚀，因其具有较好的刻蚀速率以及良好的方向性，目前已逐渐替代湿法刻蚀。

3 形成氮化硅侧壁蚀刻倾斜度的影响参数

真空等离子清洗机的刻蚀工艺在半导体集成电路中，既可以刻蚀表层的光刻胶，也能够刻蚀下层的氮化硅层，同时还需防止对硅衬底有刻蚀损伤，为达到多项精确的工艺要求。在我们若干实验测试中发现，改变真空等离子清洗机的部分参数，不仅达到上述的刻蚀要求，同时能够形成一定氮化硅层的形貌，即侧壁蚀刻倾斜度。

其意义在于，当氮化硅侧壁具有一定的倾斜度，能够有效降低金属镀膜层在阶梯覆盖时出现断裂的几率，从而改善集成电路中工艺金属线路内部断裂的问题。如下所示是氮化硅侧壁垂直和具有一定倾斜度的示意图：

1 氮化硅材料特点

氮化硅（Si3N4）是目前炙手可热的新材料之一，具有密度小、硬度大、弹性模量高、热稳定性好等特点，在诸多领域都有应用。在晶圆制造中，氮化硅可替代氧化硅使用，因其硬度高，可在晶圆表面形成非常薄的氮化硅薄膜（在硅片加工中，应用最为广泛的描述薄膜厚度的单位是埃），厚度约在数十埃，保护表面，避免划伤，此外其突出的绝缘强度和抗氧化能力也能够很好地达到隔离的效果。氮化硅的不足在于，其流动性不如氧化物，难以刻蚀，采用等离子刻蚀可以克服刻蚀上的难点。

2 等离子体刻蚀原理和应用

等离子刻蚀是通过化学作用或者物理作用，或者物理和化学共同作用来实现的。反应腔室内的气体辉光放电，包括离子、电子及游离基等活性物质的等离子体，通过扩散作用吸附到介质表面，与介质表面原子发生化学反应，形成挥发性物质。同时高能离子在一定压力下对介质表面进行物理轰击和刻蚀，去除再沉积的反应产物和聚合物。通过化学和物理的共同作用来完成对介质层的刻蚀。

刻蚀作为晶圆制造工艺中重要的一种，是微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤，一般在光刻胶涂布和光刻显影之后，以光刻胶作为掩膜，通过物理溅射和化学作用将不需要的金属去除，其目的是为了形成与光刻胶图形相同的线路图形。等离子刻蚀是主流的干式刻蚀，因其具有较好的刻蚀速率以及良好的方向性，目前已逐渐替代湿法刻蚀。

3 形成氮化硅侧壁蚀刻倾斜度的影响参数

真空等离子清洗机的刻蚀工艺在半导体集成电路中，既可以刻蚀表层的光刻胶，也能够刻蚀下层的氮化硅层，同时还需防止对硅衬底有刻蚀损伤，为达到多项精确的工艺要求。在我们若干实验测试中发现，改变真空等离子清洗机的部分参数，不仅达到上述的刻蚀要求，同时能够形成一定氮化硅层的形貌，即侧壁蚀刻倾斜度。

其意义在于，当氮化硅侧壁具有一定的倾斜度，能够有效降低金属镀膜层在阶梯覆盖时出现断裂的几率，从而改善集成电路中工艺金属线路内部断裂的问题。如下所示是氮化硅侧壁垂直和具有一定倾斜度的示意图：