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  • ST-AC1200_X 分立器件测试仪MOSFET动态参数测试

    ST-AC1200_X 分立器件测试仪MOSFET动态参数测试

    产品信息

     


    MOSFET动态参数测试仪
    ST-AC1200_X

    用于测试器件级的 Diode,IGBT,MOSFET动态交流参数

    1200V/100A，短路电流2500A

    替代ITC57300，多项功能及指标优于ITC57300



    ♦ 技术规格

    基础能力
    1. *大输出能力：电压1200V电流200A
    2. *小时间测量值：0.1ns
    3. Windows系统的控制计算机水印签字*西安天光测控*水印签字
    4. LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字
    物理规格
    1. 单机尺寸：800×800×1800mm水印签字*西安天光测控*水印签
    2. 质 量：165kg水印签字*西安天光测控*水印签字
    3. 系统功耗：200w
     
    ST-AC1200_S_R
    开关时间（阻性）测试单元
    美军标750
    方法为3472
    1. 脉宽：0.1us~100us步进0.1µs
    2. 栅极电压：0~20V，分辨率0.1V
    3. 栅极电流*大10A水印签字*西安天光测控*水印签字
    4. 漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A）
    5. 占空比小于0.1%水印签字*西安天光测控*水印签字
    6. VDD/漏极电压  5V~100 V分辨率0.1V
                                     100 V~1200V分辨率1.0V
    ST-AC1200_D
    反向恢复特性测试单元
    美军标750
    方法3473
    1. IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率
                                 50~200A@0.5A分辨率
    1. di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps
    2. VR/反向电压：20~1200V
    3. IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。
    4. 占空比：＜1.0%水印签字*西安天光测控*水印签字
    5. TRR/反向恢复时间范围：1ns~2us
    6. VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
                                    100V~1200 V，1.0V Steps
    1. Qrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC
    ST-AC1200_Q
    栅电荷测试单元   
    美军标750，
    方法3471
    1. 栅极电流：0~10mA@10uA分辨率
    2. 栅级电压：0~20V@0.1V分辨率
    3. 漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率
    4. 分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字
    5. 漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
                             100V~1200 V，1.0V Steps
    ST-AC1200_S_L
    开关时间（感性）测试单元
    美军标750，
    方法3477
    1. 漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率
    2. 分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字
    3. 电感：0.1mH至159.9mH（外挂）
    4. 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率
    5. 漏极电压：5V~100V，0.1V Steps
    6. ，1.0V Steps
    ST-AC1200_S
    短路特性测试单元
    美军标750，
    方法3479
    1. *大电流：标配200A（选配1000A）
    2. 脉宽：1us~100us
    3. 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率
    4. 漏极电压5V~100V，0.1V Steps
    100V~1200 V，1.0V Steps
    ST-AC1200_RC
    栅电阻结电容测试单元
    JEDEC Std
    JESD24-11
    1. Rg/栅电阻：0.1~100Ω水印签字*西安天光测控*水印签字
    2. 结电容参数：Ciss，Coss，Crss
    3. 漏极偏置电压：1200V*大
    4. 栅极偏置电压：0~20V@0.1V分辨率
    5. 频率：标配0.1MHZ~1MHZ
    电网环境
    1. AC220V±10%，50Hz±1Hz。水印签字*西安天光测控*水印签字


    主要用于测试二极管、IGBT、MOS动态特性参数，产品功能指标对标ITC57300,对标资料如下。

     资料说明：
    • 对比内容：半导体分立器件动态参数测试系统
    • 对比厂商：美国ITC公司（下文简称ITC）、西安天光测控技术有限公司（下文简称西安天光）
    • 对比型号：ITC/ITC57300、西安天光/ST-AC1200_X

       MOSFET动态参数测试仪 以ITC57300作为参考标准，西安天光的产品资料中“蓝色字体”为西安天光的减分项（指标低于ITC57300），“红色字体”为西安天光的加分项（指标高于ITC57300），“黑色字体”表示双方指标*。

    美国ITC公司
    ITC57300    		西安天光测控技术有限公司
    ST-AC1200_X
    基础能力
    1. *大输出能力：电压1200V电流200A
    2. *小时间测量值：1.0ns
    3. Windows系统的控制计算机
    4. LabVIEW软件界面
    5. 水印签字*西安天光测控*水印签字
    物理规格
    1. 高=76英寸
    2. 宽=44英寸(包括显示器和键盘)
    3. 深=50英寸(包括接收器)
    4. 重=550磅
    ITC57210开关时间（阻性）
    测试单元    		美军标750
    方法为3472
    1. 脉宽：0.1µs~10µs 步进0.1µs
    2. 栅极电压±20V分辨率0.1V
    3. 栅极电流*大1.0A
    4. 漏极电流*大200A
    5. 占空比小于0.1%
    6. VDD/漏极电压  5V~100 V分辨率0.1V
              100 V~1200V分辨率1.0V
    水印签字*西安天光测控*水印签字
    ITC57220反向恢复
    特性测试单元    		美军标750
    方法3473
    1. IF/正向电流：ITC5722B：1.0~50A@0.2A分辨率
    2. 分辨率
    3. di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps
    4. VR/反向电压：20~1200V
    5. IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。
    6. 占空比：＜1.0%
    7. TRR/反向恢复时间范围：10ns~2.0us
    8. VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
    100V~1200 V，1.0V Steps
    1. Qrr/反向恢复电荷：1nc~100uC
    2. 水印签字*西安天光测控*水印签字
    ITC57230栅电荷
    测试单元    		美军标750
    方法3471
    1. 栅极电流：低0~2.0mA@0.01mA分辨率
    中2.0~20.0mA@0.1mA分辨率
    • 20.0~200.0 mA@1.0mA分辨率
    1. 栅电压范围：±20V@±0.1V分辨率
    2. 漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率
    3. 分辨率
    4. 漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
    100V~1200 V，1.0V Steps
    水印签字*西安天光测控*水印签字
    ITC57240开关时间（感性）
    测试单元    		美军标750
    方法3477
    1. 漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率
    2. 分辨率
    3. 电感：0.1mH至159.9mH
    4. 栅极电压：±20V@0.1V分辨率
    5. 漏极电压：5V~100V，0.1V Steps
    6. ，1.0V Steps
    7. 水印签字*西安天光测控*水印签字
    ITC57250短路特性
    测试单元    		美军标750
    方法3479
    1. *大电流：1000A
    2. 脉宽：1us~100us
    3. 栅驱电压：±20V@0.1V分辨率
    4. 漏极电压5V~100V，0.1V Steps
    100V~1200 V，1.0V Steps
    水印签字*西安天光测控*水印签字
    ITC57260栅电阻结电容
    测试单元    		JEDEC Std
    JESD24-11
    1. Rg/栅电阻：0.1~50mΩ
    2. 结电容参数：Ciss，Coss，Crss
    3. 漏极偏置电压：1200V*大
    4. 栅极偏置电压：±20V
    5. 频率：0.1MHZ~4MHZ
    电网环境
    1. 220V 50~60 Hz单相  可选择240V
    2. 220V/12A  20A  30A
    3. 水印签字*西安天光测控*水印签字
    基础能力
    1. *大输出能力：电压1200V电流200A
    2. *小时间测量值：0.1ns
    3. Windows系统的控制计算机
    4. LabVIEW软件界面
    5. 水印签字*西安天光测控*水印签字
    物理规格
    1. 单机尺寸：800×800×1800mm
    2. 质 量：165kg
    3. 系统功耗：200w
    ST-AC1200_S_R
    开关时间（阻性）测试单元        
    美军标750
    方法为3472
    1. 脉宽：0.1us~100us步进0.1µs
    2. 栅极电压：0~20V，分辨率0.1V
    3. 栅极电流*大10A
    4. 漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A）
    5. 占空比小于0.1%
    6. VDD/漏极电压  5V~100 V分辨率0.1V
                   100 V~1200V分辨率1.0V
    水印签字*西安天光测控*水印签字
    ST-AC1200_D
    反向恢复特性测试单元       
    美军标750
    方法3473
    1. IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率
    50~200A@0.5A分辨率
    1. di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps
    2. VR/反向电压：20~1200V
    3. IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。
    4. 占空比：＜1.0%
    5. TRR/反向恢复时间范围：1ns~2us
    6. VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
    100V~1200 V，1.0V Steps
    1. Qrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC
    2. 水印签字*西安天光测控*水印签字
    ST-AC1200_Q
    栅电荷测试单元   
    美军标750，
    方法3471
    1. 栅极电流：0~10mA@10uA分辨率
    2. 栅级电压：0~20V@0.1V分辨率
    3. 漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字
    4. 漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
    100V~1200 V，1.0V Steps
    ST-AC1200_S_L
    开关时间（感性）测试单元
    美军标750，
    方法3477
    1. 漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率
    2. 分辨率
    3. 电感：0.1mH至159.9mH（外挂）
    4. 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率
    5. 漏极电压：5V~100V，0.1V Steps
    6. ，1.0V Steps
    7. 水印签字*西安天光测控*水印签字
    ST-AC1200_S
    短路特性测试单元
    美军标750，
    方法3479
    1. *大电流：标配200A（选配1000A）
    2. 脉宽：1us~100us
    3. 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率
    4. 漏极电压5V~100V，0.1V Steps
    100V~1200 V，1.0V Steps
    水印签字*西安天光测控*水印签字
    ST-AC1200_RC
    栅电阻结电容测试单元       
    JEDEC Std
    JESD24-11
    1. Rg/栅电阻：0.1~100Ω
    2. 结电容参数：Ciss，Coss，Crss
    3. 漏极偏置电压：1200V*大
    4. 栅极偏置电压：0~20V@0.1V分辨率
    5. 频率：标配0.1MHZ~1MHZ（¥3W）
    6. 0.1MHZ~4MHZ（¥15W）
     水印签字*西安天光测控*水印签字
     
    电网环境
    1. AC220V±10%，50Hz±1Hz。
     
    其它测试功能（加分项）
    • 雪崩特性测试单元
    • EAS
    • IAS
    • PAS
    • di/dt测试单元
    • dv/dt测试单元
    • 静态参数测试单元（可测试IGBT、MOSFET、二极管的静态直流参数）
    • 安全工作区/RBSOA
    • 热阻（包括稳态热阻和瞬态热阻）






    产品系列

    晶体管图示仪
    半导体分立器件测试筛选系统
    静态参数（包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs等）
    动态参数（包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA等）
    环境老化（包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge等）
    热特性（包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve等）
    可测试 Si / SiC / GaN 材料的  IGBTs  /  MOSFETs  /  DIODEs  /  BJTs  /  SCRs等功率器件

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    信息说明

    本产品信息由（西安天光测控技术有限公司）为您提供，内容包括（ST-AC1200_X 分立器件测试仪MOSFET动态参数测试）的品牌、型号、技术参数、详细介绍等；如果您想了解更多关于（ST-AC1200_X 分立器件测试仪MOSFET动态参数测试）的信息，请直接联系供应商，给供应商留言。若当前页面内容侵犯到您的权益，请及时告知我们，我们将马上修改或删除。

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