日本CATS 替代 易恩栅电荷测试系统
ENS1040栅电荷测试系统
功能指标
测量参数
技术条件
开启栅电荷QgOn
Id=1 to 100Amps
存储电荷Qgs
Vdd=5 to 95v
平台电荷Qgd
Vg=+/-1 to+/-19V
平台电压PlateauVoltage
Ig=0.1 to 10ma
Id@threshold=100 to 1000ua
导通电阻RdsOn
Qg=0.5 to 500nc
栅电阻Rg
Rds(0n)=0.001 to 2.0Ohms
阈值电压GateThresholdVotage
Gate/Drainwaveform
Capture/storage
主营范围:1.IGBT测试系统 2.半导体分立器件测试仪 3.高速大功率半导体分立器件测试系统 4.分立功率器件测试仪 5.可控硅整流器测试(仪) 6.MOS 场效应管测试(仪) 7.三端稳压器测试(仪) 8.绝缘栅双极大功率晶体管IGBT测试(仪) 9.光电耦合器测试(仪) 11.继电器测试(仪)
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