美国ITC 替代品易恩大功率IGBT静态测试仪_详细资料

产品信息

系统特征
针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统
大功率（IV可扩展至4500A，6000V）
自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作）
计算机记录测试结果，测试结果可转化文本或EXECL格式存储
采用品Pai工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点
测试方法灵活（可*测试器件以及单个和多单元的模块测试）
安全稳定（PLC对设备的工作状态进行全程实时监测并与硬件进行互锁）
测试范围
EN-3020C系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT的各种静态参数：其测试范围如下：
1）栅极-发射极漏电流测试                     V_GES、I_GES
2）栅极-发射极阈值电压测试                   Vge（th）
3）集电极-发射极电压测试测试                 V_CES、I_CES
4）集电极-发射极饱和电压测试测试             Vge（sat）、I_C
5）二极管压降测试测试                        V_F、I_F
6）二极管反向可恢复直流电压测试          V_R、I_R
外形尺寸和电源要求
尺寸：800×800×1800（mm）
质量：210kg
环境温度：15~40℃
工作电压：AC220V±10%无严重谐波
电网频率：50Hz±1Hz
通信接口： USB RS232
系统功耗： 380W
参数/条件
参数/条件

参数

ENJ 35200 IGBT
ENJ 30200 IGBT

静态参数自动测试系统
静态参数手动测试系统

条件

①栅极-发射极漏电流IGES

IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA

集电极电压VCE: 0V

栅极电压 VGE: 20V ±3%±0.2V

②集电极-发射极电压BVCES

集电极电压VCES: 100-3500V±5%±10V（选配）

集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

100-3500V±5%±10V
100-3000V±5%±10V
栅极电压 VGE: 0V

③集电极发射极饱和电压VCESAT

VCESAT:0.1-10V

栅极电压 V G E : ±15V±2%±0.2V

集电极电流ICE: 10-200A±5%（选配）

10-200A±5%
10-200A±5%
④集电极-发射极截止电流ICES

集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

100-3500V±5%
100-3000V±5%
集电极电压VCE: 100-3500V±5%（选配）

栅极电压V G E : 0V

⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH

VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V

VGE=VCE

集电极电流ICE: 30mA±3%

⑥二极管压降测试VF

VF: 0.1-5V±3%±0.01V

栅极电压VGE: 0V

电
流 I F : 10-200A±5%（选配）

10-200A±5%
10-200A±5%
导通电流 IC: 10-200A±5%

栅极电压VGE:±15V±0.2V

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参数/条件
	参数		ENJ 35200 IGBT	ENJ 30200 IGBT
	参数		静态参数自动测试系统	静态参数手动测试系统
	条件		静态参数自动测试系统	静态参数手动测试系统
①栅极-发射极漏电流IGES
IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA
集电极电压VCE: 0V
栅极电压 VGE: 20V ±3%±0.2V
②集电极-发射极电压BVCES
集电极电压VCES: 100-3500V±5%±10V（选配）
集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA		100-3500V±5%±10V		100-3000V±5%±10V
栅极电压 VGE: 0V
③集电极发射极饱和电压VCESAT
VCESAT:0.1-10V
栅极电压 V G E : ±15V±2%±0.2V
集电极电流ICE: 10-200A±5%（选配）			10-200A±5%	10-200A±5%
④集电极-发射极截止电流ICES
集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA			100-3500V±5%	100-3000V±5%
集电极电压VCE: 100-3500V±5%（选配）
栅极电压V G E : 0V
⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH
VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V
VGE=VCE
集电极电流ICE: 30mA±3%
⑥二极管压降测试VF
VF: 0.1-5V±3%±0.01V
栅极电压VGE: 0V
电	流 I F : 10-200A±5%（选配）		10-200A±5%	10-200A±5%
导通电流 IC: 10-200A±5%
栅极电压VGE:±15V±0.2V

美国ITC 替代品 易恩大功率IGBT静态测试仪

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美国ITC 替代品易恩大功率IGBT静态测试仪