原子层沉积(ALD)系统是原速科技自主开发的新一代智能化ALD研发系统,型号为Exploiter原子层沉积系统E200,广泛适用于纳米材料、微机电系统、催化剂、生物膜材料及光电材料等领域。
系统优势
(1)传输管路的优化设计,有效地避免管路堵塞及交叉污染问题
(2)工业化级别标准集成:PLC+工控机+触摸屏
(3)软件操作界面友好,可真正实现“一键沉积”
(4)全方位可靠的安全互锁方案
(5)实时监测镀膜工艺
技术指标
| 项目 | | 参数 | | 备注 |
| 本底真空 | | <5.0×10-3torr | | 可定制 |
| 样品腔室 | | 单腔室:⌀200mm | | 可定制 |
| 双腔室:⌀200mm+粉末颗粒包裹腔 |
| 前驱体源 | | 3路或6路 | | — |
| 反应物源 | | 3路 | | — |
| 沉积温度 | | 室温-500℃ | | 可定制 |
| 气路加热温度 | | 室温-120℃ | | 可定制 |
| 源瓶加热温度 | | 室温-120℃ | | 可定制 |
可制备的材料种类
(1)氧化物:Al2O3、TiO2、SiO2、HfO2、Ta2O5、ZrO2、ZnO、SnO2、La2O3、Lu2O3等
(2)金属材料及合金:Fe、Co、Ni、Cu、Ag、Au、Ru、Pt、Ag、Au等
(3)二元/多元材料:AlN、HfON、LaAlO3、MnN、WN等
(4)纳米层压材料:(Al2O3/ZrO2)n等